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전압을 가하는 방법과 흐르는 전류
① VDS가 작을 때 ID는 VDS이 비례하나, VDS가 어느값 이상 커지면 ID는 VDS에 그다지 영향을 받지 않고 포화되어 VGS에 의해 크게 변화한다.
(나) FET 내부에서의 전자 움직임
① 공핍층(depletion layer) : pn접합면에
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실험목적
하중의 변화에 따른 LOAD CELL의 특성을 이해하고 원리를 파악할 수 있다.
실험결과
인가하중 (kg)
출력전압[V]
0
5.10
1
5.31
2
5.53
3
5.76
4
5.97
5
6.20
6
6.40
7
6.63
8
6.85
9
7.04
10
7.24
< 로드셀의 실험 결과 > < 그래프 >
고찰
이 실험을 통하
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전압이 흐른다. 따라서 (1N914)는 LED를 보호하는 역할을 하게 된다.
④ 전원의 극성을 반대로 하였을 때 다이오드(1N914)가 LED를 보호하는 이유에 대하여 생각해보자.
위의 실험에서와 같이 입력되는 전압의 방향을 반대로 하여 회로를 연결하였
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전압으로 처음에는 +로 시작하였다가 시간에 따라 급격히 감소하다가 -값에서 일정하게 계속 유지를 하다가 시뮬레이션이 끝나갈 무렵에 다시 상승했다. 실험 과정
(1) 부품 가져오기
(2) 선그리기
(3) 파라미터 설정하기
(4) 시뮬레
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실험을 위한 동기 발생회로를
임시로 만들어 외부 동기로 사용 할 수 밖에 없겠지요.
실험 2 예비문제
1)전기 신호를 다룰 때 신호의 크기를 나태내는 물리량과 변화를 나타내는 물리량을 구분하여 표현하는데, 전자를 크기, 후자를 주파수라
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실험은 역시 변수가 있는 법 차동모드에서 두 개의 반대전압을 인가하는데 어려움이 있었습니다. 마음을 편하게 먹어서 인지 순간 op-amp를 이용하자는 생각이 들었습니다. 예상은 적중했고 회로가 좀 더 복잡해 졌지만 우리가 원하는 출력을
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실험 다이오드의 특성 곡선의 실험을 직접 해보면서 전자회로시간에 배운 다이오드의 양호불량 실험과 특성곡선 그래프를 실험을 통해 그려 보았고, AC/DC 에서의 측정법에 의한 특성곡선을 추출하였을 때에도 거의동일한 모양의 특성곡선을
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회로 설계 및 실험 실습 (성안당)
3) 마이크로 전자회로 (OXFORD)
4) 임베디드 하드웨어 이해와 설계 (한빛미디어) 목 차
1.제작동기
2.진행과정
3.H/W 구성 및 이론
3-1 적외선 송수신부
3-2 디지털 온도계
4.동작원리
5.제작후기.개선
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회로에서 먼저 offset 전압을 극복하는데 0.7[V]가 소모되며, 부가적인 다이오드 전압은 벌크저항 7.5[Ω] 양단에 걸린다.
4.실험준비과제
(1) 역방향 및 순방향전압에 대하여 기술하여라.
(2) 도핑에 대해서 기술하여라.
(3) 소수캐리어와 다수캐리
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실험 결과는 다른 전자 소자들과의 조합에 따라 더욱 다양한 응용 가능성을 보여줄 것이다. 이러한 특성들은 전압 안정화 회로나 파워 서플라이 등에서 필수적인 역할을 할 것으로 분석된다. 결국, 제너 다이오드는 전자회로에서 필수적인 컴
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