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1 3 80k
Rg 0 5 10M
J 1 5 4 J2N3819
.model J2N3819NJF(Beta=1.304m Betatce=-.5 Rd=1 Rs=1 Lambda=2.25m Vto=-2.6
+Vtotc=-2.5m Is=33.57f Isr=322.4f N=1 Nr=2 Xti=3 Alpha=311.7u
+Vk=243.6 Cgd=1.6p M=.3622 Pb=1 Fc=.5 Cgs=2.414p Kf=9.882E-18
+Af=1)
*Nationalpid=50case=TO92
*88-08-01 rmnBVmin=25
.end
. CG
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실험적 접근과 컴퓨터 분석의 조화가 이론적 설명과 실제 동작을 연결하는 데 중요한 역할을 한다는 사실을 다시 한번 인식할 수 있었다. 최종적으로, 다이오드 특성에 대한 깊은 이해는 전자 회로 설계와 신뢰성 향상에 기여할 수 있으며, 앞
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1. Net List
* SPICE DP #3
* Circuit
R1 1 4 150
R2 1 3 2000K
R3 3 0 1000K
RL 5 0 1K
C1 2 3 25u
C2 4 5 25u
Vdd 1 0 9
Vs 2 0 sin(0 0.05 1K 0 0 0)
M1 4 3 0 0 2N7000 L=1u W=200u
* Analysis
.op
.tran 10u 10m 0
.let tran Vin=RMS(V(2))
.let tran Vout=RMS(V(5))
.let tran Vgs=RMS(V(3))
.let tran Vds=RMS(V(4))
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1. Net List
* SPICE DP #2
* Circuit
R1 2 3 600
R2 1 4 10K
R3 4 0 2.2K
R4 1 7 3.6K
R5 5 6 180
R6 6 0 820
RL 8 0 10K
C1 3 4 25u
C2 7 8 25u
C3 6 0 100u
Q1 7 4 5 Q2N3904
Vs 2 0 sin(0 50m 1K 0 0 0)
Vcc 1 0 10
* Analysis
.op
.tran 10u 10m 0
.let tran Iin=RMS(V(2,3))/600
.let tran V2=RMS(V(2))
.let tran Vo
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전자전기공학실험, 홍릉과학출판사
http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture/전자회로1/chap1/index.html 실험 제목
실험 목적
기초 이론
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회로도 스케치도 함께 제공해 각 학생이 직접 회로를 구성하는 데 필요한 정보를 확인할 수 있도록 한다. 이러한 부록 내용은 MOSFET 전류 미러 회로 설계와 실습 과정을 보다 체계적으로 이해하는 데 기여할 것이다. 1. 서론
2. 실험 목표
3.
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회로의 동작을 최적화함으로써, 데이터 전송 지연을 최소화하고 시스템의 응답성을 향상시킬 수 있다. 또한, 클럭 분주기를 설계함으로써 다양한 동작 주파수를 필요로 하는 회로에 유연성을 제공할 수 있을 것이다. 두 번째로, 실험 과정에
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실험용 전자 IC칩용 clip의 제조
IC 칩을 실험용 전자회로 기판과 연결하기 위한 실험용 clip은 전자 공학자들에게 전자회로 기판에서의 IC 기기의 성능을 측정하고 연구하는 데에 있어서 매우 중요하게 쓰인다. 즉 IC 칩의 작은 lead 선을 실험용
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회로에서 공통적으로 10%를 넘지 않으면 그 오차는 생각하지 않아도 된다고 전자회로 시간에 배운 적 있다. 실 제로 10% 내의 오차는 무시해도 된다. 단 정밀한 회로를 요구하는 곳에 대해서는 예외다.
위의 실험을 통해 알고자 함은 전압과 전
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실험 중 발생할 수 있는 오차 요인들을 고려하여 실험 결과를 신뢰성 있게 작성하는 것이 중요하다. 나아가, 이론적 설명과 실험적 증거를 연계함으로써 MOSFET의 실제 응용 가능성을 탐구할 수 있고, 이는 향후 전자회로 설계나 분석업무에 있
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