|
실험이었다. 그냥 그 크기 비교만을 하는 것이 아니라 큰 신호를 출력시켜 줄 수 있는 회로는 기본적인 Comparator의 입력을 간단히 feedback 시키는 것 만으로 가능했던 사실이 매우 흥미로웠다. 이제 점점 의용전자2시간의 진도와 차이가 많이 나
|
|
|
전자기기에서의 환경적 영향을 줄이는 데 기여할 수 있다. 이러한 다양한 측면에서의 연구들은 MOSFET 공통 소오스 증폭기의 주파수 응답 특성에 대한 보다 포괄적이고 실용적인 이해를 제공할 것이다. 1. 실험 개요
2. 장비 및 재료
3. 실험
|
|
|
실험에 비해 새로운 개념이 많이 등장했다. GBP나 slew-rate들도 알게 되었다. 아직 의용전자2는 진도를 나가지 못해 이론적으로 아는 점이 없어 시뮬레이션 분석이 힘들었다. 이번 실험9의 실험절차를 통해서 더 깊게 이해할 수 있을거라 생각한
|
|
|
실험이다. 금속판에 빛을 쬐어 주면 그 금속판에서 전자가 튀어 나온다는 것인데, 그것을 직접 해보고 플랑크 상수도 구해 볼 것이다.
플랑크 상수를 구하는 방법은 두 가지가 있는데, 먼저 금속판의 일함수를 알 경우 광전효과 방정식에 대입
|
|
|
실험이다. 금속판에 빛을 쬐어 주면 그 금속판에서 전자가 튀어 나온다는 것인데, 그것을 직접 해보고 플랑크 상수도 구해 볼 것이다.
플랑크 상수를 구하는 방법은 두 가지가 있는데, 먼저 금속판의 일함수를 알 경우 광전효과 방정식에 대입
|
|
|
자리잡고 있다. 뉴트럴한 사용을 고려할 때 각각의 방식이 지닌 강점과 약점을 이해하고 이를 적절히 활용하는 것이 중요하다. 1. 실험의 목표
2. 사용된 장비
1) 측정 기기
2) 구성 요소
3. 이론적 배경
4. 실험 절차
5. 논의 및 분석
|
|
|
실험결과
위 실험을 통해 증폭 비를 100으로 하여 Phototransistor의 민감도를 조절하는 저항 값을 100k으로 낮추어도 10M으로 설정하였던 실험 2와 비슷하였다. 다만 오차율이 아주 약간 증폭기를 사용하는 실험3에서 크게 나왔으며 전압 값도 작게
|
|
|
실험결과
위 실험을 통해 증폭 비를 100으로 하여 Phototransistor의 민감도를 조절하는 저항 값을 100k으로 낮추어도 10M으로 설정하였던 실험 2와 비슷하였다. 다만 오차율이 아주 약간 증폭기를 사용하는 실험3에서 크게 나왔으며 전압 값도 작게
|
|
|
전자 스핀을 가지는 전류를 흘려서 기록층의 자화 방향을 바꾼다. 상하 또는 좌우로의 자기(Magnetic field) 방향으로 저항 값이 바뀌면서 저항 값의 대소에 ‘1’ 또는 ‘0’을 할당, 데이터를 보존할 수 있다. IBM와 TDK는 65나노미터 프로세스의 시
|
|
|
결과
3.7 Encoder/Decoder 의 실제 파형
3.8 Encoder의 실제 파형
3.9 Decoder의 실제 파형
4.1 적외선 Transceiver (HSDL-3000)
4.2 HSDL-3000
4.3 Transceiver의 실제 동작
5.1 사용한 소자와 부품
5.2 OrCAD로 작업한 전체 회로도
5.3 완성된 회로
결 론
|
|
메뉴펼치기
