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전문지식 2,879건

회로를 구하는 문제를 풀어본다. Q : 이 문제를 노턴의 정리로 풀면 A : Rn =R2//R3 =(R2)(R3)/(R2+R3) = 2 전압원E을 포함한 단자 a와 b를 단락하고 단락전류 IN을 구한다. In = E /R1 = 3A 이상의 결과로 부하 저항RL을 포함한 등가회로를 그린다. 1. 실험
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  • 등록일 2004.04.25
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⑥ 새로운 에 흐르는 전류과 위상차를 측정. 총전류란에 결과 기록. ⑦ 측정한 과 를 식에 대임하여 를 계산. ⑧ 전압 와 전류 를 오옴의 법칙에 대입하여 임피던스를 구함. 이론 실험과정
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  • 등록일 2010.03.29
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실험은 옴의 법칙과 저항의 직렬/병렬 회로를 구성하여 전압에 따른 전류 특징 또 저항에 따른 전류특징을 알아보면서 최종적으로 옴의 법칙이 성립함을 보았고, 저항이 직렬/병렬 또는 직병렬 혼합회로로 구성 되었을 때 어떠한 특징을 가
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  • 등록일 2010.03.09
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. 5. 참고문헌 - 기초전자실험 with PSpice P.167-177 1. 실험 목표 2. 관련이론 2-1 기초 이론 2-2 소개 3. 실험 3-1 오실로스코프 사용 3-2 채널 두 개를 동시에 사용하는 측정 4. 결과 검토 5. 느낀점 6. 유의사항 7. 참고문헌
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회로에 연결해야 한다. 3. LED의 최적 밝기판단은 불만 들어오는 상태 또는 밝은 상태 등 주관적으로 표현될 수 밖에 없다. 4. 실험 중 DC supply에 전압 조절기를 돌려도 공급전원이 조절되지 않는다면 회로의 단락을 확인하여 쇼트 되었는지 먼
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회로에서 Vdc를 구할 때는 두 개의 Si 다이오드를 통과 하므로 2VT를 빼야 하는데 처음에 하나의 다이오드의 값만 빼서 실험 결과값이 크게 달라졌었다. 10) 트랜스포머의 2차 전압을 설정하기 위해서는 DMM으로 확인하며 함수 발생기로 1차 전압
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. %△ = %△ = %△ = 7. 의 % 변화를 계산하라. %△ = 이론 5. 트랜지스터의 에 대한 % 변화를 계산하라. 이후 모든 계산에서 실험 책에서 주어진 공식을 이용하라. %△ = 6. 베이스, 컬렉터, 이미터 전류의 % 변화를 계산하라. %△ = %△ = %△ = 7.
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회로에 대해 포화전류 를 계산하라. (계산값) = 8.06㎃ c. 연습문제 1(a)와 (b)의 포화전류는 트랜지스터의 β에 민감하게 변화하는가? 포화전류 무관하다. 2. 이 실험에서 살펴본 두 회로에서 2N3904 트랜지스터를 2N4401 트랜지스터로 교체할 때 동작
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회로 내부에서 발생하는 저항에서 발생한 것이다. 6 ) 문턱전압 이론 개요에서 정의한 것처럼 각 다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라. 그림2-5에 근사화한 직선을 보여라. (Si) = 0.63V (Ge) = 0.3V 실험결과 1. 역방향
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전압 신호의 주기를 알려면 수평감도 와 수평칸수를 곱하여주거나 고등학교 때 배웠던 공식인 주기는 진동수 분의 1이라는 공식을 사용하여도 됩니다. 0. 실험 목적 실험 이론 실험 내용 및 결과 토의 및 고찰 질의 응답
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