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다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라. 그림2-5에 근사화한 직선을 보여라.
(Si) = 0.63V
(Ge) = 0.3V
실험결과
1. 역방향 바이어스회로에서 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 차이를 알아봄으로써 Si 다이오드가 Ge 다이오드
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계산값과 측정값 사이의 오차가 크게 발생했다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
1) 계측기
2) 부품
3. 이론
4. 실험 내용 및 결과
1) 달링턴 이미터 폴로어 회로
2) 달링턴 회로 입출력 임피던스
3) 캐스코드 증폭기
5. 결론
6. 토의 및 고찰
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기초전기전자공학실험
→ 곽경섭외 (주)교학사
디지털회로실험
→ 배명진외 에드텍 멀티미터의 사용법
Ⅰ. 실험목적
Ⅱ. 관계이론
Ⅲ. 실험방법 (일반멀티미터)
Ⅲ. 실험방법 (디지털멀티미터)
Ⅳ. 예상실험결과
Ⅴ. 참고문헌
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맞게 설계한다.
단, I : 직류 부하전류
f : 리플주파수
C : 커패시턴스
참고문헌
대학기초실험 : 최승헌 외 3명 공저 : 복두출판사
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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특성을 이용하여 전자공학의 기초가 되는 반도체를 만들 수 있는 것이다.
6. 참고
<김상배 저, 개정판 기초전기전자실험, 홍릉과학출판사> 1. 실험의 목표
2. 기본이론
3. 사용 기기 및 부품
4. 실험방법
5. 데이터 분석 및 결과
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