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실험 9 Detection/Protection Circuit 실험
◎ 결과 보고서
실험 1
1-3 : V=8V ,, I=V/R=4.7/19=0.25[A]
1-4 : 전류는 더 많이 흐르고 제너전압이 더 빨리 도달
특정 전류 3)을 확인 V=6V ,, 2V더 빨리 도달
D(4.7v)가 5V로 상승 ( 실험결과 )
2-3 : 시작점 : 22.4V ,, 끝점 : 30V
3-
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LOUUS NASHELSKY 저
전자 회로 설계 - 연규호 저
http://blog.naver.com/earthshake/150029056492
전파 정류
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
전자 회로 설계 - 연규호 저
http://blog.naver.com/earthshake/150029056694
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데브난의 정리(Thevenin’s Theorem)와 노튼의 정리(Norton’s Theorem)를 이해하고, 잡한 회로를 단순화시키는 두 정리를 실험적으로 확인함으로써 복잡한 회로에 대한 분석 능력을 키운다.
임의의 회로에서 데브난(Thevenin)의 등가회로를 이용한 계산
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REPORT
A+
op-amp 응용 실험 레포트
1.실험목적
(1) Op-amp 자체의 주파수 특성과 미분기, 적분기 등의 회로의 동작을 이해하고 실험으로 확인한다.
(2) 필터 회로, 정류 회로 등에 Op-amp를 함께 사용하여 성능을 향상시킨 회로들의 동작을 이해하고 실
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1. 실험 목적
(1) 복잡한 회로를 하나의 전원과 하나의 저항으로 구성된 등가회로로 표현하는 방법으로 테브난의 정
리 및 노튼의 정리를 이해하고, 실험을 통해 확인한다. (2) 전원이 갖고 있는 내부 저항의 영향이 실험 결과에 미치는 영향을
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1. 실험 장비
① 디지털 멀티미터
② 저항(???? ???? ???)
③ 프로브팁, 악어입 클립
④ 직류 전원 장치
⑤ 연결선
⑥ 브레드보드
2. 실험 내용 및 방법
복잡한 회로를 쉽게 해석하는 데 여러 가지의 방법들이 있다. 이 중 여러 가지의 방
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1. 실험목적
휘트스톤 브리지를 통하여 평형상태를 이용한 정밀 측정 방법을 이해하고, 휘트스톤 브리지에 의한 저
항 측정 방법을 실험한다. 2. 실험 이론
휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)는 회로의 평형상태를 이용하여 정밀한 저항 측정을
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실험기기 및 부품
(1) BJT CA3046(1개)
(2) 저항 100(1개), 1k(1개), 100k(1개)
(3) 직류 전원공급기 1대
(4) 오실로스코프 1대
4. 예비실험
(1) <그림 2.6>과 같이 회로를 구성해서 PSPICE 시뮬레이션을 수행하여 log()and log() vs (Gummel plot), -log(), - 그래프를 구
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=-73.424mV입니다. 입니다.
=> 에 135을 주고 측정한 색이 반전된 그래프에서 녹색이 , 빨강색이 을 나타낸 것입니다. 값은 =9.759mV, =-36.717mV입니다. 로, 소신호 이득의 대략 1/2값 입니다. 1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험기기 및 부품
4. 예비실험
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회로에 대해서 예비실험 1), 2) 3)을 반복하시오. =0.5mA가 되게 VBB를 조절한다. Transient 시뮬레이션 시에는 출력 전압이 포화가 되어 왜곡이 생기지 않도록 입력 신호의 진폭을 낮춘다.
=> =0.5mA가 되는 VBB 값은 약 2.1673V입니다.
=> Transient 해석
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