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다이오드 ③트랜지스터 ④I.C(Integrated Circuit : 집적회로) 4. 반도체의 제조공정 5. 반도체의 응용분야 ①나노복합재료를
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  • 등록일 2009.05.18
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실험은 단상반파정류회로 실험으로써 저항부하만을 가질 때 출력전압과 다이오드 전압의 특성을 확인하는 실험이었다. 다이오드가 도통될 때 출력전압이 나타나고 역 바이어스 일 때는 전압이 0이 됨을 확인 할 수 있었다. 다이오드전압의
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  • 등록일 2009.12.16
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다이오드가 off 된후의 Vo를 계산하라. Vo = 8.951V h 예상파형 I.오실로스코프 결과화면 예상화면과 크게 다를바 없다. 단지 실험할 때 Amplitude가 8V라서 그 값이 크게 나왔을 뿐 다를 바가 없다. 9) 클램프 (정현파 입력) a.회로를 꾸미고 정현파 입
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  • 등록일 2009.05.06
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다이오드가 역방향 바이어스 되었을 때 서서히 방전 하면서 커패시터의 충방전에 의한 출력전압의 변동(리플전압)을 확인 할 수 있다. 고찰 이번 실험은 다이오드를 통과한 직류전원의 출력파형을 분석해 보았다. 전자회로 시간에 배운 부분
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  • 등록일 2010.01.05
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실험시의 역방향, 정방향 바이어스시 값은 비교적 정확히 일치하는 모습을 보였다. ② 제너 다이오드의 특성 중 어떤 부분이 전압 조정기의 응용에 가장 유용한가? - 역방향 바이어스시 더 많은 전압이 걸려도 스펙에 정의된 전압 이상 걸리지
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  • 등록일 2010.03.09
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회로를 구성하여서 각각의 핀에 전압을 측정하는데 어떻게 측정을 해야 하는지 몰라서 참 난감한 것이 있었다. 하지만 결국 간단하게 접지와 연결을 하면 되는 것이었다. 이상으로 이번실험은 성공적이다. ♠ 참고 자료 ♠ ● Pspice로 구현한
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  • 등록일 2010.04.07
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회로에서는 +1.2V나 +2.4V 등 훨씬 낮은 전압에서 항복이 일어나는 제너다이오우드를 쓰게 된다. 역전압을 걸었을 때 나타나는 제너현상을 이용하기 때문에, 이 소자는 항상 역방향으로 연결해서 사용한다. 1. 실험 목적 2. 준비 사항 3. 관
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  • 등록일 2010.04.07
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발표하며, 그 답을 선택한 이유에 대해 발표한다. ○ PPT 차시예고 1분 ○ 차시학습을 예고한다. ○ 차시학습내용을 이해하고 예습한다. ○ 강의 Ⅴ. 교수 - 학습 보조자료 1. 멀티미디어 자료(PPT) 번호 내용 문항 1 pn 접합 반도체 2 트랜지스터
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  • 등록일 2010.05.02
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다이오드를 저항으로 교체 후의 주요 효과는 무엇인가? 엠플리튜드가 낮아졌다. 2. 실험 결과 및 검토 이번 실험은 다이오드의 특성을 이용하여 정류 회로를 꾸며보고 각 정류회로의 특성을 살펴보았다. 반파정류기에서 여러 정류기를 써보았
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  • 등록일 2009.05.06
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전자회로 시간에 배운 반도체 다이오드와 제너 다이오드의 특성을 이론이 아닌 실험을 통하여 확인하게 되어 이해하는데 더 쉬웠고, 일반 반도체 다이오드와 제너 다이오드의 알려진 특성 곡선과 실제 실험을 통해 확인한 특성 곡선이 수치
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  • 등록일 2010.08.31
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