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RL에 전달되는 전력의 변화를 나타내는 그래프를 생성하는 작업도 필요하다.
- 시뮬레이션 회로에 프로브를 꼭 부착하여 빈 화면이 결과로 나타나지 않기를 유의한다.
6. 참고문헌
- 기초전자실험 with PSpice
P.152~163 1. 실험 목표
2. 관련이
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연결)으로 놓으면 그림(i)와 같은 형태로 된다. 따라서 값을 구하면...
RTh = (R1 x R2)/(R1 + R2) + (R3 x R4)/(R3 + R4)
= (6 x 4) / (6 + 4) + (3 x 6) / (3 + 6)
= 2.4Ω + 2Ω
= 4.4 Ω
최종적으로 그림(j)와 같이 테브닌 드가회로가 완성되고 부하저항 RL을 달아서 부
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같이 임의의 회로망의 두 단자 a, b로부터 회로망을 본 임피던스가 Rab이고, a, b양단의 전압을 Vab라고 할 때 그림 7-1 (b)와 같이 부하 RL을 연결하면 부하에 흐르는 전류는 다음과 같이 된다는 것이 테브난 정리이다.
I =Vab (7-1)Rab+RL
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연결된 도선의 양단 전압이 0으로 되기 때문에 그곳에 흐르는 전류가 0이 된다. 그러므로 우리가 구하고자 하는 값들이 0이 됨을 물론 VTH가 0이 되므로 실험에 의미가 없어지게 된다.
③ 테브난과 노턴 등가회로에서 RTH, VTH, IN사이에는 어떠
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회로의 파형을 보여주고 있다.
실험 2. 브리지형 전파 정류회로
VCB(p-p)
VOUT(p-p)
RL양단간의 직류전압
전압
9.28
2.84
1.506
VCB
VOUT
D1양단간의 전압
1. 분석
우선 오실로스코프의 출력 파형을 보면 입력파형과 저항 양단에서의 출력파형이 제대로 출
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연결하고, 그림 5-9에 파형을 그려 넣으시오.
주의 : 555의 3번핀인 출력단자를 CRO의 외부 트리거 신호로 사용하시오. 또한 양 단의 출력을 그림 5-4에 그려 넣으시오.
C
+5
0
RL
+5
0
그림 5-4. 555 단안정기의 파형
(b) 단안정기
= 1
= 10μF
LED가 점등되는
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2. 시스템 구성도
Why Self-Resonance Method?
<중 략>
3. Simulation
Simulation Setting
개발환경 : MATLAV R2013a
기타Simulation 변수 1. 연구 배경 및 필요성
2. 시스템 구성도 및 무선전력전송 이론
3. Simulation(HFSS, ADS, MATLAB), 회로도
4. 결과
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직렬로 접속하고 직류 전압 420[V]를 가했을 때 백열 전구에 흐르는 전류는 몇 [A]인지 쓰시오.
21. 전압을 측정할 때에는 전압계를 측정하고자 하는 양단자에 로 접속하고, 전류를 측정할 때에는 전류계를 회로에 로 접속한다.
22. 전기 회로에서
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형상태(balance) : 회로1과 회로2의 전압강하차가 0
R1과 R2는 병렬관계이므로 걸리는 전압이 같고 (V1=V2)
Rv와 Rx는 병렬관계이므로 걸리는 전압이 같다.(Vv=Rx)
그러므로 전압비는
이다.
옴의법칙에 의해 V대신 IR을 대입하면
이다.
직렬관계에 의해
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망로방정식에 영향을 준다.
---------①
-----------------②
방정식 ①과 ②를 연립해서 풀면
, 가 된다. 그림에서 이다.
3-5 그림 p 3-4의 회로에서 절점해석법에 의하여 을 구하라.
(힌트 : 4㏀과 10V의 직렬에 등가전원대치를 적용하라.)
그림과 같이
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