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테브난 정리와 비슷한 노튼정리 실험인데, 이번실험처럼 오차가 심하게 나오지
않도록 회로도 구성을 할 때 좀 더 신경을 써야겠다. 1. 실험목적
1) 테브난 정리를 이해하고 응용할 수 있는 능력을 키운다.
2) 테브난 정리를 실험적으로
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2.17K
0.75,0,75
0.75,0,75
같다
= 2K
,
,
성립여부
측정값
1.143
1.1
2.39mV
2.17K
1.143,1.143
1.1,1.1
같다
계산값
1.14
1.1
2.4mV
2.17K
1.14,1.14
1.1,1.1
같다
6.토의
저번 테브난 실험 보다 좀 까다로운 실험 이었다. 회로도 이해하기 어려웠고 좀 힘들었지만
실습하면서
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A
1.55mA
0.007mA
1.117mA
1.11mA
1.11mA
1.11mA
0.007ma
0.78mA
0.78mA
0.78mA
0.78mA
0
0.658mA
0.66mA
0.66mA
0.66mA
0.002mA
<표 1 이론값과 측정값 비교>
5. 결론
▶ 실험에 사용 된 회로는 옴의 법칙, 테브난 정리, 노오튼 정리를 통해 모두 부하에 흐르는 전류를 구할 수
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함을 알 수 있다.
[그림 7-5]의 실험 회로에서 이므로 위와 같은 결론이 나온다. 의 값은 을 통해 구할 수 있다. 이 실험에서 오차가 크게 발생해 각 저항을 직접 측정해 보았더니 다음과 같은 결과가 나왔다.
저항값(K)
1
2
3.3
5.6
측정값(K)
0.989
1.97
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테브난의 정리와 노튼의 정리를 이용하여 복잡한 회로를 간단히 바꾸어 부하 저항을 연결했을 때의 전압 및 전류의 값을 측정하는 실험이었다. 실험1을 통해 테브난 등가 전압과 테브난 등가 저항을 계산 및 측정할 수 있었다. 또한 실험2를
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