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테브난의 정리와 원리는 비슷하나 보다 더 어렵게 느껴졌다. 복잡한 회로를 노튼 등가 회로로 바꿈에 있어서 저항의 연결 상태라던가 전압원을 단락시키는 등 저항이 여러 개 연결되어 있을 경우 회로의 해석이 쉽지 않음을 느꼈다. 또한 계
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그림1에서 그림1(a)는 그림1(b)와 그림1(c)를 더한 것을 표현한 것이다.
② 전압원과 전류원 : 전원이 작동하지 않도록 할 때, 전압원은 단락회로, 전류원은 개방회로로 대치.
③ 중첩의 원리 적용 : R, L, C 등 선형소자에만 적용.
주기 및 주파수
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테브난 등가 전압과 테브난 등가 저항을 계산 및 측정할 수 있었다. 또한 실험2를 통해 노튼 등가 전류와 노튼 등가 저항을 계산 및 측정할 수 있었고 전압원과 전류원이 상호 변환됨을 알 수 있었다. 실험2에서는 가변 저항의 원리와 그 사용
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중첩의 원리를 실험을 통해 확인한다.
2. 기초 이론 및 원리 요약
옴의 법칙이나 키르히호프의 법칙을 이용하면, 하나의 전원을 포함하고 있는 회로망에서 소정의 소자나 노드에 걸리는 전압과 흐르는 전류를 구할 수 있다. 더 나아가 테브
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테브난 등가회로와 노턴 등가회로를 구하라.
풀이 =>
=>위 그림의 풀이를 통해 =5.94[kΩ], =6.22[V], =1.03[mA] 값이 나오고
결과 값으로 테브난 등가회로와 노턴 등가회로를 구했다.
(3) 1.5[V] 건전지에 100[㏀]을 연결하였더니 양단전압이 1.5[V]이
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