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그림1에서 그림1(a)는 그림1(b)와 그림1(c)를 더한 것을 표현한 것이다.
② 전압원과 전류원 : 전원이 작동하지 않도록 할 때, 전압원은 단락회로, 전류원은 개방회로로 대치.
③ 중첩의 원리 적용 : R, L, C 등 선형소자에만 적용.
주기 및 주파수의
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회로내의 저항, 저항자체의 저항값 오차, 잘못된 회로구성등으로 인하여
오차가 생긴것 같다. 다음 실험도 테브난 정리와 비슷한 노튼정리 실험인데, 이번실험처럼 오차가 심하게 나오지
않도록 회로도 구성을 할 때 좀 더 신경을 써야겠다.&
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A
1.55mA
0.007mA
1.117mA
1.11mA
1.11mA
1.11mA
0.007ma
0.78mA
0.78mA
0.78mA
0.78mA
0
0.658mA
0.66mA
0.66mA
0.66mA
0.002mA
<표 1 이론값과 측정값 비교>
5. 결론
▶ 실험에 사용 된 회로는 옴의 법칙, 테브난 정리, 노오튼 정리를 통해 모두 부하에 흐르는 전류를 구할 수
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함을 알 수 있다.
[그림 7-5]의 실험 회로에서 이므로 위와 같은 결론이 나온다. 의 값은 을 통해 구할 수 있다. 이 실험에서 오차가 크게 발생해 각 저항을 직접 측정해 보았더니 다음과 같은 결과가 나왔다.
저항값(K)
1
2
3.3
5.6
측정값(K)
0.989
1.97
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.
▲ 시상수
▲ R-L 회로에서 R에 비하여 L이 클수록 시정수가 커지며, 지수적 변화가 서서히 일어난다. 이것은 전류에 대한 L의 관성에 기인한다.
참고문헌
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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