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실험과정
①시험관에 나프탈렌 5g을 취하여 시험관에 옮긴다.
②시험관을 물이 담긴 비커에 넣고 충분히 가열하여 나프탈렌을 완전히 녹이고, 가열을
중지하고 물중탕 비커를 제거한 뒤 나프탈렌을 천천히 냉각한다.
③82℃부터 온도변화를 2
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실험과정
① 한 염료를 메탄올에 녹여 1mM 10ml를 준비한다.
<실험시약제조>
- 1,1’-diethyl-4,4’-carbocyanine iodide (분자량 : 480.39)
- 1,1’-diethyl-2,2’-carbocyanine iodide (분자량 : 480.39)
- 3,3’-Diethylthiadicarbocyanine iodide (분자량: 518.48)
이번 실험에서
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실험(2)을 반복하여, LED에 표시되는 숫자를 표 2에 기록하시오
5.예비 보고 사항
실험번호
제출일
제출자
실험조
학번
이름
8
2014. 11. 5.
(1) 실험에서 사용될 IC소자들(7400, 7408, 7447)의 핀 배치도를 조사해서 그리시오
<IC 7400> NAND GATE
<IC 7408&g
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내부저항 값과 비슷한 51Ω 저항에 걸리는 전압을 측정함으로서 함수발생기 내부의 저항값을 알아볼 수 있었다. 실험 4. 부하 효과 (loading effect)
1. 목적
2. 이론적 배경
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고서
6. 결과 보고서
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실험값과 비교하시오.
5.예비 보고 사항
실험번호
제출일
제출자
실험조
학번
이름
6
2014. 10. 17.
1) 그림 6.1의 직렬공진회로에서 공진주파수와 Q값을 구하시오. 공진주파수에서 인덕터와 커패시터에 걸린 전압을 구하고 입력전압과의 관계를 구
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예비 보고서
실험번호
제출일
제출자
실험조
학번
이름
3
2014 . 9 . 24 .
1) 주파수가 1kHz이고, 커패시터 값이 0.1uF일 때 커패시터와 저항에 걸리는 전압의 크기를 같게 하기 위한 저항값을 구하시오.
커패시터와 저항에 걸리는 전압의 크기가 같으
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간의 상호작용의 세기를 나타내며, 생성 상수가 클수록 당량점 부근에서 금속 이온 농도가 급격한 변화를 일으켜 명확한 종점을 얻어낼 수 있다. 1)실험제목
2)실험날짜
3)실험목적
4)시약 및 기구
5)실험이론
6)실험과정
7)참고문헌
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1. 실험 개요
- [실험11]과 [실험 12]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워를 실험하였다. 이번에는 나머지 기본 증폭기 구조인 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 공통 게이트
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1. 실험 개요
BJT를 이용한 공통 이미터 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정한다. 공통 이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는
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입력전압에 대한 출력전압의 변화를 그래프로 그리고 LOW 레벨 노이즈마진과 HIGH 레벨 노이즈마진을 구하라.
⑥ 그림7-8과 같이 논리 회로를 구성하고 Y와 Y\'에 흘러가는 전류를 구하시오.(저항은 100㏀)
그림7-8. 논리회로
5.예비 보고 사항
실험
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