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1. 실험 개요
- [실험11]과 [실험 12]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워를 실험하였다. 이번에는 나머지 기본 증폭기 구조인 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 공통 게이트
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공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인
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증폭기회로 및 저주파 등가회로
드레인접지(Common Drain :CD)와 게이트 접지(Common Gate :CG)의 세 가지나 있으나,본 실험에서는 가장 일반적으로 사용되는 CS 및 CD증폭기에 대한 특성을 조사한다.
① 소스접지 증폭기(common source amplifier) : 가장 널리
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증폭기의 증폭 비율이 상승 한다는 것도 알 수 있었다. 그리고 부하저항이 있는 경우와 없는 경우 비교시 없는 경우가 전압이득이 더 큰 것을 알 수 있었고 그리고 C-D Amplifer에 대해서도 더 자세히 알 수 있었다.
이번실험을 하면서 전자회로
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전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출
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