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★바랙터 다이오드란?
일명 가변용량 콘덴서, 배리캡등으로 불림.
다이오드에 가하는 전압의 크기를 바꿔 발진주파를 변화시키는데 이용되는 다이오드.
역방향의 전압을 높이면 접합용량은 작아짐
★다이오드의 원리
다이오드의 공핍층
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[ERROR : 10731] 오류 발생. 1. FET의 종류
1) 내부구조에 따라 분류
2) 채널에 따라 분류
2. 구조와 기호
3. 접합형 FET에 흐르는 전류
4. 접합형 전계효과 트랜지스터(Junction FET)의 동작 원리
5. 증가형 MOSFET
6. 공핍층 MOSFET
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의 영역을 공핍층이라 한다.
순방향 다이오드 : P영역에서 양(+)의 전압을 N영역에 (-)의 전압이 인가된 상태를 순방향 (forward) 바이어스가 인가 되었다고 함
역방향 다이오드 : P영역에 음(-)의 전압을, N영역에 양(+)의 전압이 인가된 상태를 역
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콘에 각각 도핑하여 P형 반도체와 N형 반도체를 접합하게 되면 P형의 정공과 N형의 전자가 접합영역에서 결합하여 공핍층 생성하고 공핍층은 정공이나 전자와 같은 캐리어가 없는 절연영역이며, 접합영역을 통과하는 캐리어의 이동을 방해합
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림 22-4와 같다.
그림 22-5(a) 와 같이 p형 부분에 양(+)의 전압, n형 부분에 음(-)의 전압을 가하면 공핍층 내의 전위와 양, 음이반대로 되므로, 전위장벽이 낮아져서 공핍층도 좁아진다. 그 결과 p부분의 정공은 접합면을 넘어서 n형 부분에 , n형 부
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공핍층(depletion layer) ........ 10
[그림 2-2] p-n 다이오드의 전류-전압(I-V) 특성 ................. 11
[그림 2-3] LED 기본회로와 밴드이론에 의한 발광현상 .............. 11
[그림 2-4] LED DC current의 증가에 따른 광도(luminous intensity) . 12
[그림 2-5] 브리지 정류
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