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[ERROR : 10731] 오류 발생. 1. FET의 종류
1) 내부구조에 따라 분류
2) 채널에 따라 분류
2. 구조와 기호
3. 접합형 FET에 흐르는 전류
4. 접합형 전계효과 트랜지스터(Junction FET)의 동작 원리
5. 증가형 MOSFET
6. 공핍층 MOSFET
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MOSFET의 구조 및 특성
MOSFET는 채널로부터 절연된 게이트를 갖도록 제도된 소자로서 공핍형 구조(depletion mode) 와 증가형 구조 (enhancement mode)로 구별 되는데, 공핍형에서 채널은 실제로 제조되어 있고, 드레인과 소오스 간의 전류는 양단에 걸린
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공핍층이 생겨 전류가 흐르지 않으므로 차단(OFF)상태로 된다. 전원 EA의 극성을 변화시켜도 다른 2개의 pn 접합부에 공핍층이 생겨 역시 차단 상태가 된다. 그림(a)에서 캐소드 전극에 가까운 게이트에 작은 게이트 전류 IG를 흘려 주면 반송자인
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공핍층이 생겨 전류가 흐르지 않으므로 차단(OFF)상태로 된다. 전원 EA의 극성을 변화시켜도 다른 2개의 pn 접합부에 공핍층이 생겨 역시 차단 상태가 된다. 그림(a)에서 캐소드 전극에 가까운 게이트에 작은 게이트 전류 IG를 흘려 주면 반송자인
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MOSFET, JFET이 있는데 이를 응용한 소자들 HBT, MESFET, INFET, MODFET등 많다.
트랜지스터의 사용용도
-트랜지스터를 사용하는 목적은 증폭 또는 스위치로 사용된다. 전압을 증폭 하거나, 전류를 증폭 한다.
-사실 트랜지스는 주로 스위치와 전류공
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