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광도전 셀(CdS)
유화 카트뮴을 주 성분으로 하여 빛의 광 강도에 의한 저항 값의 감소를 이용한 센서.(광저항소자)
광도전 현상=전자-정공 쌍 (Electron-hole pair)이 발생하여 , 그 부분의 전기 전도도(도전율)이 증가한다.
CdS의 특성
소
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광학적인 정보 : 가시광, 자외선, 적외선, X 선, 방사선
트랜스듀서(변환기) : 감지된 정보를 다른 측정 가능한 물리적인 양으로 변환시키는 장치
구성에 의한 분류 : 기본센서·조합센서·응용센서로 분류한다. 예를 들면, 온도측정에 사용하
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광에 비례하여 기전력 발생
포토다이오드 : 희망하는 파장대의 빛 응답을 위한 반도체 재료 변화 자외선 ~ 근적외선 영역 사용, 응답시간은 수십 sec-n sec 저감도 광통신의 검출소자, 리모콘, 노출계 등
5. 빛의 파장과 영역 1. 센서(Sensor)의
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광화학센서, 광바이오센서 등에 대한 지속적인 연구가 이루어져 더욱 다양하고 정확성이 향상된 신선도 표시라벨의 개발이 기대된다.
인스콘테크 공장견학
최근 정전기 방지 및 전자파 차폐 재료로 주목받고 있는 전도성 고분자를 절연체 고
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광(빛) 감지센서
광(빛)을 감지하여 회로를 ON / OFF제어
센서등, 방범등에 많이 사용
⑶부져
:: 최대정격 ::
- Power: 50mW
- Voltage: 100Vdc
- Temp.Range: -30~+60
:: 광-전기특성 ::
- Light Resistance at 10Lux: min 30, max 50Kohm
- Gamma Value: 0.8typ
- Dark Resistance(10sec after s
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센서 8
3.1.5 광 센서 9
3.1.6 TFT-LCD 9
3.1.7 배터리 9
3.1.8 무선모듈 Xbee Pro 10
3.1.9 카메라 모듈(CTS) 10
제 4 장 회로도 및 도면 11
4.1 조작부 11
4.1.1 전체 11
4.1.2 ATmega128 12
4.1.3 JTAG Port 13
4.1.4 Power(+3
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광대역화, 구내통신망의 고도화, 홈 네트워크 보급촉진, 유비쿼터스 센서 네트워크 구축 등의 기술개발을 2004년에 계획하였으며 기간망 또는 백본망의 고도화가 목적이다. 이 때문에 현재 BcN의 경우 지나치게 통신 중심으로 진행되면서 방송
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광센서 등의 부품을 내장 가능하며, 향후 더 많은 부품을 내장 가능할 것으로 보인다.
기존의 LPTS는 600℃의 온도에서 LPCVD (SiH₄)를 이용한 실리콘 필름 정착 방식을 사용하였지만, 현재 LPCVD와 PECVD 등의 방식으로 더 낮은 온도로 제작 가능하다
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