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다이오드의 전위 장벽을 이용하여 위와 같은 파형을 만들어 낼 수 있다는 사실에 매우 흥미를 느꼈다. 다시한번 다이오드의 특성에 대해 알아 본 뜻깊은 실험이었다. 예비보고서
1. 실험의 목적
2. 실험을 위한 기초 이론
3. 실험방법
4.
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전자 기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm 1. 다이오드
(1) n 형 반도체와 p 형 반도체
(2) pn 접합과 정류 회로
(3) 다이오드의 전류 전압 특성
(4) 다이오드
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회로에서 제너 전압이 10V일 때 제너 다이오드 양단전압 VF, R1 양단전압 VR1 및 다이오드에 흐르는 전류 IF를 계산하여라.
[그림 2-9] [그림 2-10]
2. 그림 2-10에서 제너 전압이 10V일 때 VZ1, VR1, 및 IZ1을 계산하여라. 목차
Ⅰ. 실험목적
Ⅱ. 관련
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① 접합 다이오드
② 순방향/역방향 바이어스
③ 순방향/역방향 전압-전류 특성
④ 다이오드 모델
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GaAsP(gallium arsenide phosphide) LED : red or yellow
GaP(gallium phosphide) LED : red or green
TIL221 red, TIL222 green 전자회로1실험
<실험결과보고서>
실험목적
이론적 배경(원리 및 관련이론)
실험절차 및 방법
실험결과
결론 및 검토
참고문헌
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