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실험에 사용한 회로를 보면 = 5V 주파수가 10KHz의 구형파가 TTL소자인 7406에 입력된다. TTL은 BJT방식으로 동작하고 또 출력 전압의 HIGH가 CMOS의 입력 HIGH보다 낮은 경우가 발생하므로 이 부분을 보상하기 위해 PULL UP 저항 15㏀이 사용되었다. 4001핀
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실험조교님의 말씀을 들어 보아도 장비의 문제점을 들 수 있었고, 후일 같은 실험을 한다면 더 나은 환경에서 진행되었으면 하는 아쉬움도 있었다. 1장. 집합 다이오드 특성
2장. 제너 다이오드 특성
6장. 반파 및 정파 정류회로
7장. 변압
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실험은 순방향, 역방향 바이어스가 접합다이오드에 미치는 영향, 접합 다이오드의 전압, 전류 특성 을 실험하는 것 이었다. 실험회로는 간단했지만 역방향 바이어스 값이 이론치와는 다른 값이 나왔다. 다 이오드의 데이터 시트 상으론 최대
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회로의 특성
고 입력 임피던스
전압증폭 소자로서 동작한다.
입력 대 출력의 넓은 범위의 직선성 증폭특성
입력 대 출력의 빠른 응답특성
트랜지스터와 같은 저 소비전력
현재의 증폭기 회로구조에 그대로 적용된다.
구성 부품을 묶어
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회로도를 쉽게
해석할 수 있을 겁니다.
◈ 참고 문헌
(1) ELECTRIC CIRCUITS 7th(James W. Nilsson, Susan A. Riedel / PEARSON Education Korea)
(2) 기초실험 강의자료
(3) 네이버 지식인 / 네이버 블로그 ◈ 실험 제목 : 중첩의 원리
◈ 실험 목적 : 중첩의 원리를
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3.54
15.2
3.44
15.3
3.54
15.3
3.44
실험3. LC 공진회로 (Band pass filter)
R
(KHz)
(mV)
(mV)
(KHz)
Q-factor
1㏀
4.93
540
380
2.22
500Ω
4.93
920
650.5
2.311
200Ω
4.93
1750
1237.4
2.417
Bandpass filter의 Q-factor를 실험을 통해 구하고 식을 통해 얻은 이론값과 비교 해본 결과 큰 차이를
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하므로, A = 5V, B = 0V.
D2가 ON 되기 위해서는 A'B=1 이어야 하므로, A = 0V, B = 5V.
D3가 ON 되기 위해서는 AB=1 이어야 하므로, A = 5V, B = 5V.
또한, D0=A, D1=B, D2=C, D3=D에 연결이 되어 있으므로, 이걸 토대로 주어진 진리표를 통해서 LED에 켜지는 숫자를 알아
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가 있다.
용량
전압
병렬연결
C=C1+C2+C3+...
V=V1(가장낮은 콘덴서의 내압
직렬연결
V=V1+V2+V3+...
④100μF인 커패시터에 10V가 충전되어 있을 때의 저장된 에너지와 100μF인 커패시터에 5V가 충전되어 있을 때의 저장된 에너지를 구하라.
- 커패시터에
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값의 반절로 줄어들게 하는 내부 저항의 값을 구하는
식을 구하면 이다.
여기서 은 과 의 병렬저항이다. 즉
을 구하면
을 구하면
따라서 위 회로에서 를 측정 시 측정 계기의 내부저항이 이라면 측정전압은
정확한 값의 반절이 된다.
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실험
회로 구성입니다
각각의 저항에 전압측정기를 달고 전압을 0~10V로 올려가며 측정한 결과그래프 입니다.
아래 표는 전원전압이 10V일 때 측정된 각각의 저항에서의 전압입니다.
분홍색은 전원부 전압입니다. 각 저항에서 걸리는 전압의 합
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