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실험 목적
(1)RC 및 RL 직렬 회로를 이용하여 수동 교류 회로 소자인 커패시터와 인덕터와 특성 중 전계 및 자계 에너지 축적에 관한 특성을 파악하고 시상수의 개념을 이해한다.
(2)RC 및 RL 직렬 회로에서 커패시터와 인덕터 소자의 전류, 전압
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주파수를 입력시켜주면 되고, 높은 임피던스 (Z)를 준 후 오실로스코프에 연결하면 전압의 변화를 오실로스코프의 화면에 출력한다. 기초회로실험 - Oscilloscope and Function Generator
1.서론
(1) 오실로스코프
(2) 함수 발생기
2. 오실로스코
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실험시간이 매우 오래 걸렸다. 회로를 제대로 연결했는데도 결과가 안나와서 다시 회로를 검토해보니 OP앰프가 거꾸로 꼽아져있었다. OP앰프에서 작은 동그라미가 왼쪽위를 향하도록 설치를 해야한다.
주파수를 점점 올리다보면 그래프가 왜
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특성 곡선 및 노이즈마진
NMH = 0.423V NML = 2.974V
3) Y와 Y'에 흐르는 전류값 = 0.01mA
실험 논리 회로
Y와 Y'에 흐르는 전압 측정값
* 검토 및 토의 사항
이번 실험은 TTL 7400 NAND 게이트를 이용한 실험이였다. NAND 게이트는 두 입력이 HIGH일 때 출력은 LOW
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그래프입니다. 이 경우에는 저항 양단에 걸리는 전압이 매우 커서 입력 전압과 거의 같게 됩니다. 그래서 출력 전압인 커패시터 양단의 전압은 입력 전압의 적분값에 비례하게 됩니다. 위 그림은 적분 회로의 특성을 나타내고 있습니다.
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실험방법2에서 측정한 V out, Vr, Vㅣ을 다음 표1에 기입하고, 측정갑을
계산값과 비교하여라.
주파수[Hz]
100
500
1K
5K
10K
300
300
293
125
55.6
271
262
243
107
60.6
59.3
79.3
121
103
54.3
Ⅴ. 결과 분석 및 토의.
이번 실험[RLC병렬공진회로]은 12주차 RLC직렬공진회
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회로실험을 할 때 RC 회로와 마찬가지로 입력전압은 5V, 커패시터 용량은 47pF, 저항은 820Ω을 사용하였다. 주파수는 Low frequency로 1MHz, High frequency로 10MHz를 사용하여 실험하였다. CR 회로는 앞서 이론에서 서술한 바와 같이 값이 고주파(높은 )에서
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주파수 함수로 측정해보면 전류는 공진때 최대값을 갖는다. 이 때 이상적인 경우라면 임피던스는 저항요소들만이 남게 되어 V=IR 이 되어야 하지만각 소자들의 기생요소들로 인해 V=IR 이 되지는 않는다. 1.실험 제목 : RLC회로]
2.측정값 및
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실험 2에서 측정한 공진주파수에서, 출력전압과 전류의 진폭 과 를 측정하여 회로의 총 저항을 계산하는 실험을 하였다. 일단 실험 2에서 와 실험 3에서의 을 비교해보면 각각 3.020V, 2.995V로 거의 같다는 것을 볼 수 있었다. 하지만 RLC 회로에서
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실험이 진행되지만 실제로 회로 구성에 사용되는 도선에 저항이 미세하지만 존재하기 때문에 (R=)도선의 저항으로 인해 최대 전류 값에서 이론값과의 오차가 발생할 수 있다.
위상차의 경우도 마찬가지로 설명할 수 있다. RLC도선의 전류를 구
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