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트랜지스터의 β 값과 값을 이용하여 회로 1, 2, 3 의 특성을 Electronics Workbench 로 구하고, 실험 및 앞에서 구한 계산 결과와 비교한다.
(3) 실험 결과를 이용하여 다음의 표를 완성하고, 세 가지 트랜지스터 증폭기 기본 구조의 특성을 비
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전류이득
Electronics Workbench 이용하여 ß 값과 값구하기
이미터 공통 증폭기
베이스 공통 증폭기
컬렉터 공통 증폭기
표를 이용한 증폭기 비교 분석
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실험하는 과정이 훨씬 수월하였고, 올바른 시뮬레이션 값을 얻어 낼 수 있었다. 이러한 예비실험을 통하여 실제 ELVIS에서 직접 회로를 구성한 뒤, 제대로 된 결과가 나오도록 최선을 다하겠다. 1 Pre-Lab(예비실험): 기본 이론 조사
2 Pre-Lab(예
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기본적인 구조가 TTL이면서도 3.3V, 2.5V, 1.8V와 같이 저전압에서 동작하
는 소자들도 있는데 이것들은 저전압형의 마이크로프로세서들이 많아짐과 함께 점차 사용이
늘어나고 있다. 1. 실험목표
2. 관련이론
3. 데이터 시트
4. PSpice 시뮬레이
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실험장치
4. 실험 절차 및 결과
• 저항계를 사용한 바이폴라 트랜지스터의 단자 확인
E1.1 디바이스 전류의 안정화(npn)
E1.2 접합 관리와 접합 전류 확인
E2.1 베이스-전류 바이어스
E2.2 베이스-에미터 고정전압 바이어싱
• 증폭기로
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