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다공성 GaN 성장을 통한 경제적인 GaN 기판 제작
나. N-GaN Cladding Layer 성장
Ga-Si 혼합소스를 이용한 HVPE법으로 N-GaN Cladding Layer 성장
다. InGaN Active Layer 성장
Ga-In 혼합소스를 이용한 HVPE법으로 In0.20Ga0.80N Active Layer 성장
라. P-GaN Cladding Layer 성장
Ga-Mg
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있다. 합성된 초다공성 하이드로젤은 물에 의해 팽윤되어 기계적 물성이 낮으며 건조 시에 물의 표면장력에 의해 표면에 생성된 공극들이 유지되기 어려우며 이를 극복하기 위해 표면장력이 낮은 에탄올과 같은 유기용매를 사용하여 탈수과
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어떤 분이 오셔서 우리의 실험에 대한 문제점에 대해 말씀해주시고 문제점과 이 이후의 결과에 대해서도 말씀해 주셨다. 그래서 이 실험에 대한 전반적인 지식을 습득할 수 있었다. 먼저 소결과정에서의 실패는 우리가 생각하고 있는 것보다
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온 상압에서 먼지와 유해가스 동시 처리용으로 세라믹필터를 적용하기 위해서는 10MPa 이상의 강도와 면속도 5cm/sec 기준에서 3000Pa 이하의 압력손실 값을 갖는 필터를 제조하여야 한다.
압력 손실 : 압력손실은 분진 입자가 필터여재 및 분진
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다공성 광촉매
● 실리카겔
촉매는 실리카겔 내부의 세공 표면에도 산화티탄막이 코팅되어 있으며 450㎡/g의 비표면적을 가지고 있다. 광촉매 반응은 표면에서 반응이 일어나며 표면적이 클수록 효율이 향상되기 때문에 악취의 분해와 수처리
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다공성 막의 소수성 처리가 관건이었습니다. 팀원들과 silane을 다공성 막에 얇고 균일하게 입히기 위한 방안을 모색하던 중, 반도체 공정의 박막증착법에서 아이디어를 얻어 연구실 내 감압장치를 활용하고 해결할 수 있었습니다. 이는 마이
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수 있는 다공성 전극, 전도성 고분자, 금속-유기 골격체(MOF) 기반 소재의 합성과 응용 연구를 수행토록 하겠습니다. 이를 위해 습식 화학 합성, 전기화학적 도금, 스프레이 열분해, 원자층 증착(ALD) 등의 기법을 활용하여 다양한 나노구조 소재
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다공성 정도에 따른 제품성형성 여부를 설명해주세요.
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이전 직장에서의 경험을 말해주세요.
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회사에서 이루고 싶은 일이 무엇인지?
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영업, 구매, 판촉의 개념과 상관관계를 설명해보시오.
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산업설비에 대해 아는대로 말해보세요.
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유
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다공성 막에 silane을 균일하게 증착하기 위해 박막 증착 기술을 응용했습니다. 감압 환경을 조성하여 재료가 일정 두께로 증착되도록 제어했고, 이를 통해 기포 제거 효율을 극대화한 유체 소자를 완성할 수 있었습니다. 이 과정은 실제 반도
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