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다이오드 방정식이 쓸 만한지 검토해 보기로 한다. 느닷없이 다이오드 방정식을 가져온 이유는, 혹시 다이오드에서 써 먹었던 방정식이 트랜지스터에는 적용 될 수 없을까 해서이다. 트랜지스터도 따지고 보면 다이오드 묶음으로 되어 있는
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다이오드 레이저 조사가 임플란트의 골유착에 미치는 영향, 대한구강악안면병리학회, 2008
정선영 외 4명, 임플란트 만족도와 삶의 질 간의 관련성에 대한 구조방정식모델 분석, 대한치과보철학회, 2011 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 치과 임플란트(임프란
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다이오드 방정식
다이오드의 전압, 전류 관계식을 나타낸 방정식으로 ???????? = ????????
[exp (
????????
????????
????
) ? 1] (k =
볼츠만 상수, q = 전자 하나의 질량, T = 절대온도, ???????? = 역포화 전류)로 표현할 수
있다. 전류가 급격히 증가할 때의
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다이오드의 전류는 다음가 같은 방정식에 따르는 크기를 갖는다.
여기서 는 다이오드의 역방향포화전류, q는 전자의 전하량 V는 다이오드의 양끝전압, K는 Boltzman의 상수로서 K=1.38*[J/]이고,T는 절대온도이다. 실온(300[K])에서 q/KT는 근사적으로 3
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다이오드(varactor diode)이며 주파수 동조회로에 이용된다. 다이오드의 단위 면적당 캐패시턴스는 다음과 같이 주어진다.
{C }_{DEP } = {{epsilon}_{Si} } over {W } ( F{cm }^{-2 } )
(6.60)
식(6.60)은 평판 캐패시터에 대한 방정식과 일치한다. 이제 계단 접합의
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