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먼저 에버스-몰의 방정식이라는 것을 감상하고 트랜지스터를 직류적으로 해석한 수
학식이라는 것이 도대체 어떤 외양인지 관상보고 시작하기로 한다.
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에버스-몰 ( Ebers-Moll ) 모델이라고 하는 것으로, 다이오드 방정식이 이 모델에서 어떤 역할을 하며, 어떻게 변태를 감행하는지 주시하여야 한다. 관점과 취할 목표는 다이오드 방정식이 트랜지스터에서는 어떤 형태로 바뀌는지 확대경으로 따
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다이오드 등가회로
다이오드는 비선형 소자이기 때문에 선형적인 모델로 근사하면 편리하다. 기초 이론
1. 반도체
2. 다이오드
3. 결핍층
4. 전위장벽, 바이어스
5. 순방향 바이어스
6. 역방향 바이어스
7. 다이오드 방정식
8. 다이오드
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다이오드의 모델
이상적인 다이오드의 특성
바이어스
순방향
역방향
바이어스 극성
애노드(+), 캐소드(-)
애노드(-), 캐소드(+)
등가회로
단락된 스위치
개방된 스위치
소자저항
0(zero)
무한대
소자전류
애노드에서 캐소드로
외부저항과 전압에
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등가회로
Vapp= Va + Irs (Vapp: 총전압, Va: 접합의 양단 전압)
<(a) 이상적으로 순 바이어스된 pn 접합 다이오드의소신호 등가회로 (b) 완성시킨 pn 접합의 소신호 등가회로>
<직렬저항 효과가 있는 pn접합 다이오드의 순바이어스된 I-V 특성>
3.
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