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법 (Floating Zone Method : FZ법)
3. 액체캡슐법
4. EFG법 (Edge-Defined Film-Fed Growth Method)
5. Bridgeman법 (Bridgeman Method)
▣ npn 반도체에서의 전자의 이동
1. 트랜지스터의 의의
2. 구조
3. 원리
4. 트랜지스터의 증폭 작용
▣ 학회를 다녀와서...
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학회지(Journal of The Korean Ceramic Society)
<1988년도 25권 5 호 Page 495~501>
제목 : Verneuil법에 의한 Sapphire 단결정 성장
저자 : 주경, 배상열, 최종건, 오근호,손선기, 변영재, 전형탁
② 한국세라믹학회지 1990년도 27권 2호 Page 155~160
제목 : Verneuil법
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내부의 x방향으로의 임의의 한점에서의 자장 B(x)를 구하라. 단, 단위체적당 n개의 초전자가 존재한다.
14. 레이저의 발진원리를 설명하라.
15. 아몰파스의 특성
16. npn접합 트랜지스터의 동작 메커니즘을 에너지 준위도를 그려 설명하라.
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법에 의한 LiNbO3 단결정의 성장과 광학적 특성에 관한 연구/고정민,조현,김세훈 외3명/한양대학교 대학원/1995.12
(4) Floating Zone Method 에 의한 실리콘 단결정의 성장/윤 풍 , 윤대호 /대한금속재료학회/1988
(5) 네이버 블로그-‘LIL'S HOBBY'/릴알고트/
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법에서 반응용기에 따른 GaAs 단결정의 특성/김 은규 · 박용주 · 손맹호 · 최원철 · 민석기 저
9. 분광학적 방법을 이용한 LN 및 KLN 단결정의 조성분석/ 김태훈 · 유영문 · 노지현 저
10. 단결정 3C - SiC (Ⅲ) 박막의 성장 및 분석/서영훈 , 남기석
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