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회로는 상단 2개 74LS00 회로에 의해서 시간 펄스를 만들어 내며
74LS00의 NAND 게이트 2개와 저항과 콘덴서로 구성되어 있다.
발진 주기(T)와 주파수(f)는
f=
NAND 게이트()와 820 저항은 푸시버튼 스위치 ON시 NAND 게이트 입력의 논리를 “H\" 상태로 하
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회로를 구성한다.
<R-L-C 회로>
RLC회로상자에 저항, 코일, 콘덴서를 연결하여 R-L-C회로를 구성한 후 <R-C 회로>실험에서와 같은 방법으로 실험하되 전류의 값을 10mA에서부터 시작한다.
4.실험기구
RLC회로상자, 디지털멀티미터2개, AC power S
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회로에서 이다.
2.4 저항 분할 바이어스 회로
위 좌측 그림에서 우측 그림으로 테브난 등가 회로로 고치면
, 이고,
, ,
위 식에서 이면 는 에 무관하게 된다.
3. 사용 장비 및 부품
직류 전원 공급 장치
디지털 멀티 미터
바이폴라 트랜지스터 :
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디지털 회로를 제외하고는, 트랜지스터는 차단 영역에서 정상적으로 작동하지 않는다. 여기까지 보면 이미터 접지 회로의 출력 특성과는 차이가 있다는 것을 관찰 할 수 있다.
실험 4) Part Browser 대화 상자에서 BJTs NPN의 Gen. Purpose를 사용하여 BF
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디지털 회로시험기
④ 커패시터 : (0.1)
⑤ 저항 : 1K
⑥ 브레드보드
⑦ 함수발생기
4. 실험과정
1) RC회로
①그림과 같이 저역필터의 기능을 갖는 RC회로를 구성한다.
이때 콘덴서를 연결할 때 (-)방향을 확인하고 연결해야 하고 브레드보드를 이용
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디지털 회로시험기
④ 커패시터 : (0.1)
⑤ 저항 : 1K
⑥ 브레드보드
⑦ 함수발생기
4. 실험과정
1) RC회로
①그림과 같이 저역필터의 기능을 갖는 RC회로를 구성한다.
이때 콘덴서를 연결할 때 (-)방향을 확인하고 연결해야 하고 브레드보드를 이용
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회로 컴퓨터의 설계와 이론에 관한 최초의 스케치를 발견할 수도 있을 것이다. 그러나 이 모두를 포함한 많은 업적들은 그의 전문활동을 벗어나 이루어진 것이었다. 1. [개요]
2. [생애]
3. [논리학 연구]
4. [철학적 업적]
5. [의의]
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논리가 나타남) 반대로 SW RA가 OFF, SW RB가 ON시키면 Cell B의 내용이 SENSE 된다.
(5) 아래 회로를 구성하고, 데이터 스위치를 변화시켜가며, 출력상태를 기록하라.
실험 5는 RAM 논리소자를 사용하여, RAM의 READ/WRITE 기능을 확인해 보는 실험이다.
Addres
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회로
그림 6. 단상 교류회로의 전원전압, 전류, 저항에 걸리는 전압
그림 7. 단상 교류회로의 전력
3. 실험 기기 및 부품
- AC 전압발생기(함수발생기)
- 디지털 멀티미터
- 단상 교류전력계(Ac power meter)
- 저항 : 100Ω (5[W])
- 커패시터 : 4.7㎌, 10㎌ (
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회로가 활성영역에서 동작하여 정확한 β값을 측정하기 위함인데 실제 실험하여 나온 값을 보면 이론으로 본 것보다 실제 나온 값이 더 높게 나와서 전류이득이 전류값과 전압값에 따라 유동적으로 반응한다는 것을 알 수 있었다.
7. Ib가 40㎂
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