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기록한다.
- 그림11-3에 나타낸 3개의 망로와 저항기의 정격값을 사용하여 망로 전류
를 계산하여 표11-1에 기록한다.
- 앞에서 구해진 값을 사용해서 저항기와에 흐르는 전류를 계산하여
표11-1에 기록한다.
Pspice를 이용한 실험A 예상값
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저항 R4에 흐르는 전류는 -=15.8mA 이고 측정한 값과 옴의 법칙으로 구한 값도 이와 동일함을 알 수가 있다. 전압원의 극성이 반대로 하여 PSpice와 직접 실험하여 계산하여도 망로해석의 결과값에는 변화가 없었다. 1. 실험결과
2. 실험고찰
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회로망 정리의 검증 (예비 레포트)
1. 실험 목적
2. 관련 이론
(1) 중첩의 정리
(2) 테브낭의 정리
(3) 노튼의 정리
(4) 밀만의 정리
(5) 상반정리
3. 예비 보고서 문제
실험 9. 회로망 정리의 검증 (결과 레포트)
3. 실 험 과 정
(1) 중첩
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전류에 필적할 만하다.
휘트스톤 브리지는 저항값 측정 외에도 다른 용도로 사용될 수 있다. 브리지 회로는 온도, 빛, 습도, 무게, 혹은 다른 측정량의 변화를 표시하기 위한 고감도 전압 발생 회로에 자주 이용된다. ① 선형 회로
② 망로
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이용한 정전압 설계와 같이 Vo 는 일정한 정전압을 유지함을 볼 수 있었습니다.
항상 정전압 다이오드에 전류가 흐르도록 하면 부하에 가해지는 전압, 즉 출력전압은 일정하게 됩니다.
따라서 가변 안정화 회로는 입력이나 부하의 변동에 관
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