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조건들은 일정하게 유지하고 전류의 크기, 도선의 길이, 전류 도선의 각도를 바꾸어 가며 자기력의 크기 변화를 알아보는 실험이었다. 앞의 두 가지 경우에서 자기력은 각각 전류의 크기가 클수록, 도선의 길이가 길수록 거의 1차 함수의 형태
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은 최대값이 되는데, 주파수곡선 최대값의 70.7%, 즉 전류가 가 되는 지점의 주파수를 , 로 나타내며,
이것을 반전력점이라 한다. 또한 이 주파수의 간격 즉, 를 주파수 폭(BandWidth:BW)이라 하며
주파수 폭은 다음의 두 가지 방법으로 나타낸다.
,
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[‘직병렬회로 기초회로실험 보고서‘ 본문 내용 中 발췌]
Ⅰ. 실험목적
- 직·병렬 회로에서 전압, 전류, 저항의 특성을 익힌다.
- 직·병렬 회로에서 옴의 법칙을 적용하는 방법을 익힌다.
- 직·병렬 회로에서 전압 분배 법칙을 적용하
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[‘병렬회로 기초회로실험 보고서‘ 본문 내용 中 발췌]
Ⅰ. 실험목적
- 병렬 회로에서 전압, 전류, 저항의 특성을 익힌다.
- 병렬 회로에서 옴의 법칙을 적용하는 방법을 익힌다.
- 전류 분배 법칙을 익힌다.
- 키르히호프의 전류 법칙을
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실험 31. 발진기 회로
(1) 목적
다양한 발진기 회로에서 파형을 측정한다.
(2) 실험장비
① 계측장비: 오실로스코프, DMM, 함수발생기, 직류전원공급기
② 부품:
◇ 저항: 10kΩ (3개), 51kΩ (1개), 100kΩ (1개), 220kΩ (1개), 500kΩ pot (1개)
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3-3 실험 ③
(전자회로 실험 P. 29 그림 4-8)
1. 전자회로 실험 P. 29 그림 4-8의 회로를 구성한다.
2. 오실로스코프로 입력과 출력파형을 관찰하고, 측정된 파형을 전자회로 실험 P. 30 그림 4-9에 도시한다.
3-4 실험 ④
(전자회로 실험 P. 30 그림 4-10)
1.
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가. 실험1
(1) 상기 회로에서 단자 AB에 대한 Thevenin 전압 Vth와 Thevenin 저항 Rth를 계산하라
(2) 상기 회로에서 다낮 AB에 대한 Thevenin 전압 Vth와 Thevenin 저항 Rth를 측정하라
(3) 측정된 등가저항과 등가전압으로 등가회로를 만들고 부하저항에 공급되
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(디자인 프로젝트)
Vdc (단계 2)
Vdc (단계 3)
0.510V
0.102V
위의 능동 클램퍼 회로를 설계하고 본 실험에서와 같이 실험하였다. 이때 사용한 소자 값은 C=100μF, R=10kΩ이었다. 위의 회로에서와 같은 다이오드 방향을 가질 때는 최소 peak값이 0V인 양의
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라.
(3) 390Ω, 560Ω 그리고 1800Ω의 저항을 순차적으로 과 대치하여 본다. 각각의 실험에서 을 측정하고, 난에 값을 기록하라.
(4) 스위치 를 b의 위치로 옮긴다. 그러면 은 단락된다. 이 때 측정되는 전류는 노턴 등가원 의 단락 회로 전류이다.
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로스코프 1대
b. 교류전압계(멀티미터) 1대
c. 교류전류계(멀티미터) 1대
d. 함수발생기 1대
e. 저항 1kΩ, 10kΩ 각각 1개씩
f. 인덕터 10mH 1개
4. 실험 방법
(1) [시정수 측정] 그림 3과 같은 회로를 꾸미고 스위치를 전원쪽으로 연결하여 충분한 시간
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