|
회로를 결선하고, 입력 E, A, B의 변화에 따른 출력 D, D, D, D를 측정하여 표 8-6을 완성하여라.
입 력
출 력 (F)
E
A
B
D0
D1
D2
D3
0
X
X
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
1
1
0
0
0
1
그림 8-13 디멀티플렉서 실험회로
5. 참고자료
① TTL응용 실무 / Don Lancaster
|
|
|
회로기초및응용, 상학당, 남상엽 외2명, 06년7월1일, 271p~273p
②전자통신기초실험, 상학당, 전자통신연구회, 06년8월25일, 165p~173p
③전자회로실험, 청문각, 김경태 외1명, 03년1월15일, 156p~157p
④전자회로실험, 내하출판사, 김현후 외1명, 05년2월20일
|
|
|
회로와 등가 Y형 회로의 단자전압 의 결과가 서로 비슷함을 보여준다. 이것도 이론적으로는 동일한 값을 보여야 하나, 위와 설명한 바와 같이 약간의 저항값의 차이에서 발생하였다.
3. 실험 기기 및 부품
- DC 전원공급기
- 디지털 멀티미터
-
|
|
|
실험에서는 중첩의 원리에 대해 다루어 보았습니다.
중첩의 원리는 다수의 독립 전원을 갖는 복잡한 회로를 해석하는 데 있어서 독립 전원의 영향을 한 번에 하나씩 고려해서 값을 구하기에 아주 용이한 원리입니다. 따라서 중첩의 원리를 적
|
|
|
실험결과
실험 1. Half-Wave Rectifier
≪ 그 림 ≫
[1-1] C가 없을 때 입력 정현파와 출력 파형을 측정하여 비교하시오.
≪ 그 림 ≫
C가 없을 때의 회로이므로 사전 보고서를 작성 할 때 시뮬레이션 했던 왼쪽 그
|
|
|
실험과정 및 결과예측
(1) 그림4-3과 같은 회로를 결선하고 입력변화에 따른 출력값을 측정하라.
(a) NAND 게이트 회로 (b) Invert OR 게이트 회로
(c) Invert AND 게이트 회로 (d) NOR 게이트 회로
그림4-3 드-모르간의 정리를 증명하기 위한 실험회로
(2) 그
|
|
|
1. 실험 목적
1) 회로의 분석에 사용되는 테브난과 노턴의 정리를 이해하고 응용하는 능력을 키운다.
2) 테브난 실험 회로도를 설계하여 전압원과 전류원의 등가회로를 구한다.
2. 실험용 기기 및 부품
1) 디지털 멀티미터
2) 브레드보드
3)
|
|
|
회로의 대역폭이 무한대여야 함을 알 수 있다. 한편 HPF는 LPF와 대응되는 회로 기능이므로,
LPF가 시간 영역에서 적분기의 역할을 한다면
HPF는 미분기의 역할을 하게 된다.
실험 결과
★ 실제 소자 값은 오차에 의하여 부품에 표시된 표준값
|
|
|
회로
b) 실제 회로 구성
c) 회로에 전압 인가
d) 시뮬레이션 결과
e) 실제 실험 결과
-10V~+10V의 펄스 파를 회로에 입력(CH1)하였더니 CH2와 같은 출력 결과가 나왔다. 최소값은 -10V 그대로인데, 최대값은 5.8V가 나
|
|
|
실험을 이해하고, 우리가 정확히 어떤 값을 구하는 것인지를 확실하게 인지하는 것이 매우 중요했다.
끝으로, 지난주 실험인 ”RC 및 RL 직렬회로“와 매우 유사한 실험이어서 그런지 매우 쉽게 느껴지기도 하였다. 하지만 나는 이 실험에서,
|
|
메뉴펼치기
