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이 0.5㎃가 아니면 실험 (1)로 돌아가 저항 R1과 R2의 값을 적절히 조절하여 IC=0.5㎃가 되도록 한다.
RC= 9.97 ㏀
VB= 0.717 V
VC= 5.515 V
IC= 0.4612 ㎃
IE= 0.0026 ㎃
IE=IB+IC= 0.4638 ㎃
그림 8. IC=0.5mA,VC=5V바이어스 회로
실험 11.3 바이어스의 안정을 위해 에미터 저
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실험값을 공식에 맞추어 계산만 하면 되는 실험이므로 자세한 분석은 생략한다.
④ 망로전류 계산에 대한 입증 실험
이 실험의 회로도는 다음과 같다.
회로도의 세 구역에서 가장 왼쪽에 흐르는 망로전류를 I1, 중앙에 흐르는 망로전류를 I2,
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회로이다.
※ DC 해석
① : 입력전류 이므로 저항에 전압이 0이 된다.
관계식에서 저항 양단의 전압 이다.
② : : 증가형 EMOSFET의 경우
③ : 출력측에 전압 방정식 에서 를 구한다.
3. 토의
이번 실험에서는 신호를 입력시키기 전에 직류 DC를 가지
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Ω의 저항을 쓰는 바 람에 정확한 1:2:3의 수치가 나오지 않았다. 정확한 수치를 재려면 어떠한 저항값 A 를 기준으로 한 다음에 2배했을 때 가장 유사한 저항값을 사용하면 된다.
실험 고찰
1. 회로의 임의의 접합점에서 유입전류와 유출전류 사
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회로 책을 참고하니 이 증가함으로써 순방향으로 바이어스된 다이오드를 통한 전류 도 증가하고 이에 따라 다이오드의 전압 도 약간 증가해서() 정확히 잘리는 파형이 나오지 않는다는 것을 알 수 있었다.
2.2 파형 정형 회로
2.2.1 실험 회로도
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회로를 구성하고, 정상적으로 동작하면, 이를 이용해서 oscilloscope에서 보는 형태의 실험으로 한다.
Clock
+5
0
3. FF 1 Q
+5
0
3. FF 2 Q
+5
0
3. FF 3 Q
+5
0
3. FF 4 Q
+5
0
그림 9-8
4. NBCD(8421) 10진 카운터
FF 4(그림 9-9)의 출력에서 10분주 되는 지를 검사하시오. 다
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함을 다시 확인할 수 있다. 위상 차이 역시 매우 작은 주파수 일 때 () 차이를 나타내고 고주파 영역에서는 0이 됨을 알 수 있다.
4. 개인고찰
본 실험과정은 주어진 Bread board에 회로를 직접 구성하고, 함수발생기를 이용하여, 오시로스코프 화면
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7.8
1,000
15,000
0.12
0.1
1.2
1,000
100,000
0.102
0.1
1.02
15,000
1,000
1.6
0.1
16
비반전 증폭기에서 계산값의 , 이득 Gain = 1 + 이다.
3. 결론 및 토의
회로의 연결이 다른 실험에 비해 조금 복잡해서 회로 연결을 제대로 하지 못해서 실험시간이 매우 오래 걸렸다.
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S0, Y의 입력상태에 따라 출력 D0~D3를 아래표에 작성하시오.
회로도
이론값
Input
Output
SELECT
Data
D3
D2
D1
D0
S1
S0
Y
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
실제 실험 결과
Input
Output
SELECT
Data
D3
D2
D1
D0
S1
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실험결과
1) 실험 1 : PWM 회로
≪ 그 림 ≫ ≪ 그 림 ≫
≪ 그 림 ≫
실험결과분석 : PWM제어를 하기 위해 다음의 조건에 맞추어 설계하였다.
입력 전압을 4Vpp-100Hz, 삼각파 offset : 2Vdc
OpAmp의 비교
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