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회로 시험기 -1대
(8) 오실로스코프 -1대
(9) 실리콘 다이오드 -4개
(10) 저항(500[Ω], 1[kΩ]) -각1개
(11) 만능 기판(bread board) -1개
(12) 리드선 -다수
4.실험 방법
1.그림과 같이 브리지형 전파 정류 회로를 구성한다. 단, 부하저항은 1[kΩ]으로 한다.
2.오
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회로에서 가변저항을 분리한다. 이제 가변저항을 저항계로 측정한다.
이 응용문제에 대해서 다음 과정을 수행하여라.
앞에서 설명한 최대 눈금편향 방법을 사용하여 이 실험에서 사용한 10㎃ 전류계 의 내부저항을 결정하여라. 비록 10㎃ 계
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회로로 , 의 소스부분 는 가 0V이므로 라는 전류원이 된다. ,의 는 의 가 반으로 나누어지므로 이다. JFET 차동 증폭기에 대한 차동 전압 이득의 크기는 로 구할 수 있다.
이론
< PSpice 모의실험 27-1 >
아래에서 요구하는 데이터를 구하고, 질문
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실험과정 Pspice로 구현
제목 : 실험 24. 중첩의 정리
1. 실험 목적
- 중첩의 정리를 실험적으로 입증한다.
2. 관련이론
- “하나 이상의 전압원을 포함하는 선형회로에서 임의의 소자에 흐르는 전류는 단독으로 동작하는 개별 전압원에 의해 생성
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회로에서 분리시킨다.
※ Part C
분압기의 저항이 3kΩ이 되도록 하여 앞의 과정을 반복한다. 실험전압은 6V, 8V, 10V, 그리고 12V이며, “Formula Test\"의 전압은 7V, 13.5V이다.
※ Part D
분압기의 저항이 4kΩ이 되도록 하여 앞의 과정을 반복한다. 실험전
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회로
위 좌측 그림에서 우측 그림으로 테브난 등가 회로로 고치면
, 이고,
, ,
위 식에서 이면 는 에 무관하게 된다.
3. 사용 장비 및 부품
직류 전원 공급 장치
디지털 멀티 미터
바이폴라 트랜지스터 : 2SC1815 (1개)
4. 실험 방법
4.1 트랜지스터
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회로에서 우측 상단 다이오드를 제거하고, VO와 VR3값을 측정하라. 이 결과를 위 계산값과 비교하라.
VO (측정값) = 1.35 V
VR3 (측정값) = 2.96 V
7. 컴퓨터 실습
Pspice 모의실험 3-1
Pspice를 이용하여 아래 회로를 해석하라. 이 결과를 2(f)에서 측정한 값
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회로가 작동 안하는것을 방지할수 있다.
●실험 방법 및 유의 사항
1 - (1) 측정문제
*회로도를 보고 진리표를 구한 후 NAND게이트인 IC 7400칩을 이용해 회로도를 구성하고 진리표와 비교를 하면된다. 그런데 이와같은 방법으로 전압을 구하게되
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1. 실험 목적
RC회로와 RL회로의 공통점과 차이점을 비교 분석한다.
RL회로의 과도응답과 정상상태응답 특성을 실험적으로 확인한다.
2. 실험 준비물
▶ 오실로스코프 1대
▶ 교류전압계(혹은 멀티미터) 1대
▶ 교류전류계(혹은 멀티미터
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회로의 양단에 연결된 어느 부하 저항에도 그 부하저항이 원래 회로의 양단에 연결된 것 같이 동일한 전류가 흐르고 동일한
전압이 걸린다. 이 말들은 키르히호프의 법칙과 같은 의미로 받아 들여 질수 있다. 실제로 실험 에서는 테브닌화 해
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