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다이오드가 손상되어 내부가 개방회로로 동작할때 VO 와 VR1 값을 계산하라.
우측 다이오드 개방시 R1과 R3가 직렬이며 R2는 병렬연결된 회로가 된다. 따라서 V는 R1과 R3에 비례하게 걸린다.
VO (계산값) = 4.427 / 3.2 = 1.38 V
VR3 (계산값) = (4.427 / 3.2)*2.2
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입력을 0 V로 놓고(두 입력을 회로 접지에 연결) 의 이론적인 값을 계산하라.
(계산값) = 0.7V_ _ ____
3. 실험장비 및 부품
DMM, 저항(1㏀), 저항(2.2㏀), 다이오드(Si), 다이오드(Ge), 직류전원
4. 참고문헌
http://blog.naver.com/seiclub?Redirect=Log&logNo=22873423
http:/
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및 고찰을 해 볼 수 있었다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
1. 계측장비
2. 부품
3. 공급기
3. 이론 개요
4. 실험 내용 및 결과
1. 문턱전압
2. 직렬 구성
3. 병렬 구성
4. 양논리 AND 게이트
5. 브리지 구성
5. 실험 결론
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다이오드의 직렬구성
- AND게이트
- 정논리란?
- 브릿지 회로란?
* 문턱전압 이란?
P형 반도체는 +, 즉 정공이 많은 반도체이지만, 물체의 극성으로 따지자면, 중성이다. 한마디로 내부 분자결합구조가 전자가 결합되기 쉬운 상태이다.
N형 반
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다이오드를 제거하고 와 를 측정하라. 순서 a의
결과와 비교하라.
(측정치) = 1.39V
(측정치) = 3.06V
5. 결론 및 고찰
- 직렬 회로의 전압은 저항에 비례하여 걸린다. 전류는 똑같이 흐른다.
병렬 회로의 전압은 똑같이 걸린다. 전류는 저항에 반비
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