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실험목적
- 직렬 및 병렬로 구성된 다이오드 회로의 해석 능력을 개발한다.
이론개요
- 문턱전압이란?
- 전압강하란?
- 다이오드의 직렬구성
- AND게이트
- 정논리란?
- 브릿지 회로란?
* 문턱전압 이란?
P형 반도체는 +, 즉 정공이 많은 반
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문턱전압과 비교하라.
VO (컴퓨터) = 0.637 V
그래프로부터의 문턱전압 : 약 0.55 V
8. 고찰
지난시간에 배운 다이오드 소자의 특성을 직병렬 회로에 직접 적용하여 그 특성을 확인하였다. 직렬연결 시 다이오드는 각 소자마다 문턱 전압만큼 전압
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다이오드 하나는 문턱전압만큼 걸리는 것과 같다. 하지만 다이오드를 Si와 Ge, 두개를 사용했다면 했다면, 작은 전압만 걸린다.
전압이 걸리지 않은 것 은 오프되어 있는 상태이다.
6. 결과 고찰
직렬과 병렬로 구성된 다이오드 동작을 실험을
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계산하라. 순서 g의 결과와 비교하라. 1.사전 지식
1)반도체
2)진성반도체
3)확산 전류
4)드리프트 전류
5)전류의 방향
2.실험 절차
1)문턱 전압
2)직렬구성
3)병렬구성
4)정논리 AND 게이트
5)브릿지 구성
6)실전 연습
3.분석 및 토의
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다이오드의 문턱전압 이상의 바이어스를 가하였을 때, 다이오드에는 문턱전압 근사치의 값이, 저항에는 저항의 크기에 비례하여 전압이 가해진다.
<병렬 구조>
⇒ 여러 개의 다이오드가 병렬 구조로 연결 되어 있을 때, 그 중 하나의 다
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