직렬 및 병렬 다이오드 회로 실험

소개글

직렬 및 병렬 다이오드 회로 실험에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1.사전 지식
1)반도체
2)진성반도체
3)확산 전류
4)드리프트 전류
5)전류의 방향

2.실험 절차
1)문턱 전압
2)직렬구성
3)병렬구성
4)정논리 AND 게이트
5)브릿지 구성
6)실전 연습

3.분석 및 토의

본문내용

2. 실험 절차
1)문턱 전압 Si, Ge 다이오드에 대해서 DMM 혹은 곡선 추적기의 다이오드 검사 능력을 이용하여 문턱전압을 측정하라. 실험에서 구한 “문턱전압”은 다이오드에 대해 등가의 특성을 세울 수 있다. 각 다이오드에 대한 구해진 의 값을 기록하라. 만약 다이오드 검사능력 혹은 곡선 추적기가 이용될 수 없다면 Si에 대해서 =0.7V, Ge에 대해서 =0.3V으로 가정하라.
2)직렬구성
a.아래 그림의 회로를 구성하라. R값을 측정하여 기록하라.
a.단계 1의 결과와 측정된 저항을 이용하여 Vo와 ID의 이론치를 계산하라. VD에 대한 VT의 레벨을 기입하라.
b.DMM을 이용하여 VD와 VO전압을 측정하라. 측정된 값으로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 b의 결과와 비교하라.
c.다음 그림의 회로를 구성하라. 각 저항에 대한 측정치를 기록하라.
d.단계 1의 결과와 R1과 R2에 대한 측정된 저항값을 이용하여 Vo와 ID의 이론치를 계산하라. VD에 대한 VT의 레벨을 기입하라.
d.DMM을 이용하여 VD와 VO전압을 측정하라. 측정치로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 e의 결과와 비교하라.
e.그림 3-4의 Si다이오드의 방향을 반대로하고 VD, VO, ID의 이론치를 계산하라.
f.순서 g의 상태에서 VD, VO를 측정하라. 측정치로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 g의 결과와 비교하라.

키워드

직렬 다이오드,   병렬 다이오드,   다이오드 실험,   다이오드,   전자회로실험,   브릿지,   반도체,   AND 게이트