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실험을 할 때에는 장전을 하자마자 바로 탄환을 발사하도록 하는 것이 좋다.
아무래도 육안으로 측정하다보니 이에서 오는 오차도 많았다. 실제로 이론값보다도 크게 측정된 수치들이 있었다.
5. 느낀 점
이 실험에서는, 탄환 발사대나, Smart T
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실험
회로 구성입니다
각각의 저항에 전압측정기를 달고 전압을 0~10V로 올려가며 측정한 결과그래프 입니다.
아래 표는 전원전압이 10V일 때 측정된 각각의 저항에서의 전압입니다.
분홍색은 전원부 전압입니다. 각 저항에서 걸리는 전압의 합
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저항선보다 넓은 면으로 되어 있으며, 이곳에 납땜을 함.
기타
게이지를 붙일 때 수평 수직방향을 가늠할 수 있도록 Triangles grid center alignment marks가 있고, 45° 각도를 유지하는 alignment marks가 있음
.스트레인게이지 부착실험 순서
1. 먼저 측정하
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실험 가. 나.
구형파 함수를 발생시키고 RC와 RL 회로의 시정수를 측정하는 실험이였다. 커패시터와 인덕터를 직렬과 병렬로 연결해서 실험해본 결과 커패시터는 직렬일때는 저항의 병렬처럼, 병렬일 때는 저항의 직렬처럼 작용하고, 인덕터는
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저항이 아주 작은 도선으로 접지점에 연결하는 것이다.
< 실험에 대한 고찰 >
이번 실험은 직류 파워 서플라이와 output voltage를 익숙하게 다루고, 직류 회로에서 전류를 측정하고, 옴의 법칙을 적용해보았다. 또한, 전류-전압 그래프의 곡선
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1. 실험 과정 및 결과
◎ 사용한 기자재 및 부품 : DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2N7000(NMOS) 1개, 브레드 보드, 전선, 2.4kohm 저항 1개, 22kohm 저항 2개 등.
- 실험을 시작하기 앞서서 사용할 저항들의 실제 측정
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저항을 측정하기 위해 을 이용하였는데 따라서 , 이다. 므로 =-7.225.103=-36.84가 나온다.
3) 실험 회로 12-1의 회로에서 커패시터 , , 에 대응하는 극점 주파수 , , 를 구하고 이로부터 3-dB 하한 주파수 을 구하라.
= 입력 결합 커패시터에 의한 차단 주
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저항자체의 내부 저항이 있기 때문에 저항을 연결하였을 때는 기존 저항인 뿐만 아니라 까지 생각해야 한다.
하지만, 전원과 분리하였을 때는 값을 생각할 필요가 없기 때문에 두 경우의 값이 다르게 측정되는 것이다. 1. 실험진행 및 결과
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실험 준비물
전원장치
0-15V 가변 직류 전원(regulated)
측정계기
DMM
VOM(저항계)
저항기(1/2-W, 5%)
330-Ω 1개
470-Ω 1개
820-Ω 1개
1-kΩ 1개
1.2-kΩ 1개
2.2-kΩ 1개
3.3-kΩ 1개
4.7-kΩ 1개
기타
SPST 스위치
4. 실험과정 Pspice로 구현
실험과정 16-1∼4
, , , 의
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저항은 감소한다. 병렬회로가 증가함으로서 전류가 흐를 수 있 는 경로가 증가하여 회로의 전도성을 증가시키기 때문이다.
4. 실험기기 및 재료
가. DC POWER SUPPLY 나. DMM 다. 브래드판 라. 저항
5. 실험방법
가. 실험 전 전압, 전류 측정 시 유의
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