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실험에는 공기의 저항등 외부에너지로 인하여 오차가 생긴 것 같다. 하지만 상대오차 값이 적어 그나마 다행이다.
(6) 참고 문헌
http://www.kmuphys.com/
http://www.kravity.com/pages/data/2470/D3469955.html
http://www.google.co.kr 이미지 검색
일반물리실험책(출판사
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이해하고 공진진동수를 확인한다. 또한 회로의 전류 및 각 단자에 걸리는 전압을 측정하여 임피던스와 위상각을 구한다. RLC 회로[일반물리실험]
실험목적
실험이론
실험 기구 및 장치
실험방법
실험 결과
실험 시 참고사항
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일반물리실험 북스힐, 김영식 외12명 공저, 3-139~141 1. 실험 목적
2.실험 원리
반도체란 무엇인가
반도체의 특성
반도체의 기능
반도체의 기능별 용도
반도체 정류회로
3. 응용방법
4. 실험 방법
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실험결과
미지저항
(Rx)
측정치
1㏀
2㏀
5㏀
7㏀
R3
1㏀
2㏀
5㏀
7㏀
미지저항
(Rx)
측정치
10㏀
20㏀
50㏀
70㏀
R3
1㏀
2㏀
5㏀
7㏀
⑨ 이 실험에서 측정의 정확도를 결정하는 요소는 무엇인가?
- 높은 감도의 검류계와, 정밀한 저항 값의 저항이 필요하다
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을 x에 대한 평방의 합으로 나눈 것이다. 즉,
근사치 의 추정된 분산 는 더욱 복잡하며 다음과 같이 주어진다.
위에서 논의된 분산들로부터 근사치 에 대한 표준편차의 계산은 쉽게 할 수 있다.
참고문헌 : 일반물리학실험((주)북스힐)
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브리지 회로와 노드법과 메쉬법을 이용한 해석
1. 실험 목적
(1) 브리지 회로에서 저항과의 관계를 확인한다.
(2) 미지의 저항을 측정하기 위해 브리지 회로에서 저항들 간의 관계를 확인한다.
(3) 노드 분석법(Nodal Analysis)와 메쉬 분석법(Mesh
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계산한다.
⑤ 위의 과정을 반복한다.
⑥ 비례변이 10인 휘스톤 브릿지에서 미지저항을 측정한다. 예비보고서
∙테브난, 노턴 등가회로
∙최대전력전달 조건
∙평형 브릿지 회로
실험기기 및 부품 ☆
☆ 실험과정 ☆
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저항 R5 대신 저항 R3 의 값을 변화시키기 때문에 {Rvar} 로 설정해주고 R3 의 범위를 4.199㏀ 에서 4.641㏀ 까지 50Ω 단위로 변화시켜서 시뮬레이션을 구했다.
이 실험은 R1 : R3 = R2 : R4 의 저항비가 변화함에 따라 R5의 저항값의 변화량을 측정하고자
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실험 테이블 옆에 있는 콘센트에 리드선을 연결하여 교류전압을 측정한다.
4) 저항 측정
① 전환 스위치를 저항범위(Ohm)에 놓는다.
② 두 단자를 쇼트시킨다.
③ 영점조절기를 돌려서 바늘눈금이 0 ohm이 되게 한다.
④ 두 단자사이에 미지저항
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저항 vs. 전류의 역수 그래프 (일정) ⇒ 기울기 = =5
(2)병렬회로
전압 = 3V
저항
전류
개별 저항의 전압
1000
A
3V
2000
A
10V
3000
A
15.9V
4000
A
21.6V
5000
A
27.5V
저항 vs. 전류의 역수 그래프 (전압=일정) ⇒ 기울기 =-26.4
6. 결론 및 토의
이번 실험은 옴의 법칙
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