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다이오드 등가회로 요약
다이오드 규격표
FIGURE 1-36 (part 1 of 2) Terminal characteristics of a high-voltage diode.
FIGURE 1-36 (part 2 of 3) Terminal characteristics of a high-voltage diode.
전이/확산 캐패시턴스
역방향회복시간
반도체 다이오드의 기호
제너(Zener)
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결정의 질을 좌우하는 가장 중요한 인자로는 원료 낙하량, melt의 형상과 안정도, 결정 지지대의 하강속도와 결정성장 속도와의 균형, 화염의 형태 및 온도분포 등이 있다. 이러한 인자들은 성장 물질이나 각각의 성장환경에 따라 그 상관관계
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반도체의 특징은 비휘발성이며, 데이터의 처리속도가 빠르다는 것이다. 그 이유는 P램이나 F램, M램 등의 셀을 구성하는 물질의 특성으로 인해 전극이나 자기장이 없더라도 그 성질을 그대로 유지하기 때문이다.
P램은 전류를 끊더라도 결정
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결정을 가진 고체를 결정 고체(crystal solid)라고 한다. 결정 고체는 격자라고 부르는 규칙적인 3차원 구조를 이룬다. 고체마다 각자 다른 고유한 성질을 가지고 있는데 그 성질 중에는 전기전도도를 포함하여 비저항, 비저항 온도계수 등 여러
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고유번호, 제조 회사의 마크 등을 인쇄 한다. 목 차
1. 단결정 성장
2. 규소봉 절단
3. Wafer 표면 연마
4. 회로 설계
5. Mask 제작
6. 산화공정
7. 감광액 도포
8. 노광공정
9. 현상공정
10. 식각공정
11. 이온주입공정
12. 화학기상 증착
13.
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