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결정한다.
ZnO 배리스터는 일반적으로 전압 서지 흡수 소자로서 폭넓게 이용되고 있다. 1988년을 기준으로 하여 거의 20억개의 배리스터가 생산되었다. 목 차
1. 배리스터(varistor)의 정의
2. 배리스터(varistor)의 특성 및 역할
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특성은, 전류와 전압의 관계가 옴의 법칙에 따르지 않고, 저항치가 전압에 따라 급격하게 변화하는 특성을 가진다.
★기본원리
제너다이오드 알기
일반적인 다이오드는 항복영역(breakdown region) 또는 항복전압 에서 파괴되기 때문에 이 영역
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특성을 마이크로파 발진에 응용
6.MES(쇼트키)다이오드: 금속과 반도체의 접촉 특성을 응용
7.발광(LED)다이오드: 발광 특성을 응용하여 광 센서로 사용
8.수광(포토)다이오드: 광검출 특성을 응용하여 광 센서로 사용
9.배리스터 다이
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특성을 마이크로파 발진에 응용
MES(쇼트키)다이오드: 금속과 반도체의 접촉 특성을 응용
발광(LED)다이오드: 발광 특성을 응용하여 광 센서로 사용
수광(포토)다이오드: 광검출 특성을 응용하여 광 센서로 사용
배리스터 다이오드: 트랜지스
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배리스터 다이오드(Voltage Variable Resistor Diode)
인가하는 전압에 의해 저항값이 크게 변하는 특성을 가짐. 낮은 전압에서는 큰 저항값을 높은 전압에서는 작은 저항값을 가져 서지(Surge) 전압 보호 또는 흡수(Absorb)에 사용 됨.
3) 쇼트키 다이오드(S
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