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베이스)특성곡선과 출력(콜렉터)특성곡선이다. 입력특성곡선은 여러 가지 출력전압
(V_CE )
에 대하여 입력전압
(V_BE )
에 대한 입력전류
(I_B )
의 관계를 나타낸 그림으로 공통베이스회로의 입력 특성곡선과 유사한 모양을 나타냄을 알 수 있다.
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전류 가 증가한다. 따라서 각 노드의 전압은 줄어든다.
그림 4.3 특성이 불안정한 베이스-전류-바이어스 회로
분석 : 이 회로는 β 의존도가 큼을 상기하라. 디바이스의 교체나 온도변화에 따라 β가 변함으로써 VCE가 많이 변한다. 그리고 β가
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전류는 베이스-에미터 회로의 구성에만 영향을 받고, 컬렉터 회로에 독립적이다. 다음의 방정식을 이용하여 위의 결과 값을 가지고 n과 IS를 계산하라.
-> n = 1.123
IS = 2.49 * 10-10
불안정한 바이어스 회로
E2.1 베이스-전류 바이어스
V+
RC
RBB
RB
VA
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전류이득 실험에서는 에미터 공통 증폭기의 기본적인 성질인 를 구하는 것에 대한 실험이었는데 의 식을 통하여 구하는 것이었다. 여기서는 베이스 전류의 변화량 분에 콜렉터 전류의 변화량이 베타인데 이것을 베이스 전류가 30, 40uA일때로
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실험을 통하여 전류이득 βdc는 대략 156정도임을 알게된다. 이렇게 되었을 때 처음에 베이스전류 이론값을 0으로 두었지만, βdc를 통하여 베이스전류의 이론값 또한 구할 수 있음을 알게 된다. 다음으로 부하선 Q점은 포화영역 IC(SAT)와 VCE(CUT OFF
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