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실험은 윈-브리지 발진기에 대한 실험이었다.
매번 실험 때마다 함수 발생기를 사용해서 발진 파형을 사용했는데 발진 파형을 회로를 구성해서 생성 해내는 실험이었다.
이론 값 , 실험 값 , 시뮬레이션 값이 틀렸지만 실험에는 언제나 오차가
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브리지 등이 있다. 또, 브리지 4변에 다이오드를 배치한 수백 W 이하의 소용량 전파정류에 쓰이는 단상 브리지 정류회로도 있다. 교류브리지는 임피던스 측정 외에도 주파수 측정 등에 많이 이용되고 있다.
5. 실험 결과
1)반파정류 출력물: 원
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용도로 사용될 수 있다. 브리지 회로는 온도, 빛, 습도, 무게, 혹은 다른 측정량의 변화를 표시하기 위한 고감도 전압 발생 회로에 자주 이용된다. ① 선형 회로
② 망로 전류법(Mesh Current Method)
③ 평형 브리지 회로(Balanced Bridge Circuit)
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회로상의 측정값
테스터에 의한값
Rx1
680
2000
222
652.94
614.7
Rx2
680
2000
167.69
403.205
468.53
Rx3
680
2000
32.82
109.4
98.95
Rx4
680
2000
341.75
923.735
900.7
결과 및 토의
이번 실험으로 정밀측정법으로서의 브리지법에 의한 원리를 이해하고 휘트스톤 브리지 회로
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브리지는 “역전압 보호”로 사용될 수 있다. 전지가 반대로 삽입되거나 직류 전압이 반대로 연결되어도 내부회로를 보호하고 정상적인 전원을 공급하는 일반적인 기능을 가능하게 한다.
브리지 정류회로 회로도
시뮬레이션 결과 값
[확대]
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실험을 통하여 브리지 회로의 저항기 사이의 관계를 알고 Bridge 회로를 이용하여 미지의 저항 값을 알아 내는 방법을 이해할 수 있다. 16 브리지
17 커패시터
18 인덕터
19 커패시터
20 인덕터
21 RC 시정수
22 직렬 RL, RC, RLC 회로
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1. 실험목적
휘트스톤 브리지를 통하여 평형상태를 이용한 정밀 측정 방법을 이해하고, 휘트스톤 브리지에 의한 저
항 측정 방법을 실험한다. 2. 실험 이론
휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)는 회로의 평형상태를 이용하여 정밀한 저항 측정을
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음수 volt를 나타내주기 때문이다. 또 두 번째 실험에서도 탄소막대저항을 사용했기 때문에 오차가 생길 수 있다.
3. 참고문헌
전자통신연구회 편, 『전자통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp81-82. 1. 브리지 회로
2. 고찰
3. 참고문헌
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지회로의 Thevenin 등가회로를 이론 및 실험으로 구하고 비교하려 한다.
↑그림1
3.1 브리지회로에서 RL에 흐르는 전류는 얼마인가?
mesh1)
mesh2)
mesh3)
cramer\'s rule를 이용해 구하면
위와 같은 행렬형식으로 식을 구할 수 있다. 이것을 풀면
와 같은
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3. 결과분석 및 토의
(1) 결과분석
전자회로에서의 가장 기본이 되는 장치이자 이미 2주차 실험에서부터 계속 다루어 왔던 전류기와 전압기의 원리에 대하여 알아보았다. 우선 기본적인 내용은 그렇게 어렵지 않았지만 실험 내용 및 과정과
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