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호 발생기의 DC 전압을 과정 6, 7과 같이 변화시키며 측정하여, 표에 기록한다.
9. Av의 값을 비교하여 오차가 가장 작은 바이어스 점 (VA+VB)/2를 찾는다. ① 대신호/소신호 모델
② 다이오드의 대신호/소신호 모델
③ 다이오드 회로에의 대신
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모델링 - 소신호 모델
조건
V+
R
VD
ID
rd(실험치)
rd(이론치)
(a)
10V
1㏀
0.7787V
9.46mA
3.11Ω
2.69Ω
(b)
10V
500Ω
0.7763V
8.68mA
2.91Ω
분석 : 다이오드의 동적저항 에 E2.2로부터 계산한 n의 값을 적용하여 구한 소신호 저항값과 위의 실험값을 비교하시오. 차
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소신호 저항 rπ를 구한다.
8. 얼리 전압 VA를 구하고, 얼리 효과에 의한 소신호 모델의 출력 저항 ro를 계산한다.
9. 소신호 전달함수의 증폭도 |AV|를 계산한다.
② BJT 회로의 소신호 증폭도 측정
10. 입력 Vin에 연결된 신호 발생기를 1kHz에서 1V의 D
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≪ 그 림 ≫
• Na와 ND는 각각 P영역에 도핑된 억셉터 농도, N영역에 도핑된 도너 농도.
• Ni는 진성 반도체의 캐리어 농도, VT=kT/q는 열전압 1.pn접합다이오드
2.다이오드의 DC해석과 등가모델
3.다이오드의 소신호 등가회로
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고주파 하이브리드 파이 모델
하이브리드 파이모델은 다른 소신호 등가모델에 비해 주파수가 높은 고주파 신호가 들어 올 때에도 적절하게 해석해 줄 수 있는 모델이 된다. 주파수가 높을 때 회로 는 이상하게 반응을 한다. 없던 성분도 스멀
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