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orward Voltage에서 상승곡선이 올라가는 것을 확인할 수 있다.
2.1.2. Logarithm Forward Region I-V 특성
DIODE소자가 상온일 때의 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.
위 그림은 다이오드소자만을 따로 측정했을 때의 측정값이다.
2.1.3. 빛이 미치는 영
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소자가 검출하여 그 신호를 증폭시켜 피드백한다. 이것을 받아서 변화된 천평의 빔을 원래의 상태로 돌려놓기 위해 전류가 공급되고 그의 전류값에 상당하는 중량의 변화가 기록한다.
[열중량분석기]http://faas.apro.re.kr/sub02_04_03.htm
[시차열분석
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분석기)
Ⅲ. 실험방법 : 우리는 전기적 특성과 광학적 특성을 probe station와 UV-VIS spectroscope를 이용한다.
[1] Oxide와 Organic TFT Electrical 특성
① TFT sample을 probe station에 넣고 현미경을 이용하여, SMU 1,2,3이라는 probe를 source, drain, gate에 연결시
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소자용 센서용 신호 출력기 : 4채널, 가속도 측정 센서로부터 얻어진 데이터를 출력함과 동시에 1,10,100배로 증폭 시켜 보다 편리하게 출력가능.
③ FFT 해석기(신호 분석기) : 시간 신호를 입력 받아 고속 푸리에 변환을 행하여 주파수 해석을 함
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소자를 모두 측정한다.
- LM741CN와 저항, 오실로스코프, 함수발생기, 보드선도를 이용하여 회로를 구성한다.
- 회로를 오실로스코프, 보드선도를 이용하여 측정한다
- 완성된 회로를 조금씩 변경하여 원하는 회로로 설정한다.
4 Pre-Lab(예비실험)
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