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1에 기록하여라.
⑨ 다시 100μ F축전기를 연결하고, 220KΩ 저항을 회로에 연결하여라. 표 7.1에 데이터를 기록하면서 과정⑦을 반복하여라. 세번째 저항도 가능하다면 회로에 연결하여 표 7.1에 기록하여라.
실험8. 다이오드 특성
1. 목 적
반도체
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특성상의 차이점을 논하라.
(8) 디지털 멀티미터에서 전압 측정 범위별로 전압계 감도를 구하라.
Ⅴ. 참고문헌
기초전기전자공학실험
→ 곽경섭외 (주)교학사
디지털회로실험
→ 배명진외 에드텍 멀티미터의 사용법
Ⅰ. 실험목적
Ⅱ.
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전압
다이오드가 차단될 때, 다이오드 양단에 걸리는 최대전압이다.
즉, 다이오드의 역방향 정격전압은 PIV보다 커야 한다.
반파정류회로에서 PIV 는 VSP
전파정류회로에서 PIV 는 VSP - VD 이다.
5)[그림 5.4]에서 저항 Rs가 추가되면, 다이오드의 파
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다이오드 특성 전압 실험 예비 보고서
1. 다이오드 특성 및 반파 정류회로 실험
1) 다이오드 전압 - 전류 특성
순방향 바이어스 특성
역방향 바이어스 특성
2) PSpice 회로도
(1) 전압-전류 특성 곡선
D1 다이오드의 전압강하로 인해 0.6V를 조금 넘
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전압을 걸어주지못한 점과 회로을 구성하는데 이써 다이오드와 도선, 회로사이의 접촉이 완전하지 않았던 점을 들 수 있겠다.
7) 참고문헌
일반물리학실험 / 장지익 / 초판 2003/ p163-169 / 전기저항(옴의 법칙 및 다이오드특성) 1) 실험목적
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10k옴과 250옴의 경우 20ms의 기준으로 하여 10k옴은 넘어서 증가하지만 250옴의 경우 그 후에 되어서야 넘어 선다. 둘 다 계속적인 증가율을 보인다. 04 제너 다이오드 특성 및 전압조절기 실험
◎ 실험 목적
◎ 실험 원리
◎ 실험 방법
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1MΩ
0.1MΩ
3.09kΩ
실험 9.(c) 다이오드 저항 대 전압의 곡선
역바이어스 순바이어스
표 2-3. 전압조정
과 정
VAB
IZ, mA
VAA
11
VAB
0.822
20
1.1
12
VAB+0.1
0.922
150
2.5
13
VAB-0.1
0.722
0.93
0.7
표 2-4. 정전압 회로 설계특성
VAA
RS
IL, mA
RL
VOUT
11
500Ω
10
3.3kΩ
0.8
1
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전압(VAC)
9.6
0.034
출력전압(VDC)
1.4
0.267
입력전압
출력전압
- 분석
S3가 Open 상태이므로 이 회로는 다이오드를 1개를 사용한 반파정류회로와 등가이다. 1장에서 분석한 반파정류회로의 결과특성과 같다. 그리고 변압기의 비가 1:1(실제 실험에서도
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전압에 의해 제어
0(zero)
애노드-캐소드 전압
0(zero)
외부인가 전압과 동일
3. 실험
3-1 실험 절차
1. 위의 그림 1-3의 회로를 구성한다.
2. 순방향 전합 를 증가시키면서 저항 양단의 전압 , 다이오드 양단의 전압 와 다이오드를 통해 흐르는 전류 를
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사용하여 Si의 DC 저항치를 계산하라.
4) DC저항
5) 점화 전위 1. 사전지식
1) 다이오드 전류
2) 다이오드
2. 실험절차
1) 점화 전위
2) DC저항
3) 역방향 바이어스
4) 순방향 바이어스 다이오드 특성
5) 다이오드 테스트
3. 분석 및 토의
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