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다이오드를 통해서 채널에 가해진다. 반도체 채널로부터 산화층에 의해 분리된 금속게이트 전극을 사용함으로써 기본적으로 다른 종류의 전계 효과 소자를 얻는다. 이 금속 산화물 반도체 구조로 하면 게이트와 기판 사이에 외부에서 전압을
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전압을 높일수록 위의 파형을 그려냈다. 다이오드의 전위 장벽을 이용하여 위와 같은 파형을 만들어 낼 수 있다는 사실에 매우 흥미를 느꼈다. 다시한번 다이오드의 특성에 대해 알아 본 뜻깊은 실험이었다. 예비보고서
1. 실험의 목적
2
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전압에 따른 전류의 변화곡선에서도 그 특성을 확인할 수 있다. 4.7V까지는 전류의 변화가 거의 없고 일정하게 유지되지만 제너 전압 4.7V를 넘겼을 때는 전류가 급격히 변함을 알 수 있다.
따라서 실험을 할 때, 다이오드에 걸리는 전압 가 0.1V
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보고서 그림 2의 전류 전압 특성과 실험값과의 비교
- 예비보고서의 그림과 실험시의 역방향, 정방향 바이어스시 값은 비교적 정확히 일치하는 모습을 보였다.
② 제너 다이오드의 특성 중 어떤 부분이 전압 조정기의 응용에 가장 유용한가?
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결과 보고서
실험 제목: 다이오드의 전압 전류 특성
1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
■ 실험회로 1 : PN접합 다이오드의 전압전류 특성
① -50V ~ 50V, 간격(Increment) 0.5V
- 실험 결과 그래프 및 표 :
예비실험 데이터 / 실제실험값
■ 실험회로 1-1: ②
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