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전압은 0으로 바꾸는 것을 의미 합니다.
3. 브리지 정류와 평활회로 시뮬레이션 수행결과
1. 브리지 전파 정류 회로 시뮬레이션 결과
2. 브리지 평활 회로 시뮬레이션 결과 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 브리지 정류와 평활회로 시뮬레이
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실험 9 Detection/Protection Circuit 실험
◎ 결과 보고서
실험 1
1-3 : V=8V ,, I=V/R=4.7/19=0.25[A]
1-4 : 전류는 더 많이 흐르고 제너전압이 더 빨리 도달
특정 전류 3)을 확인 V=6V ,, 2V더 빨리 도달
D(4.7v)가 5V로 상승 ( 실험결과 )
2-3 : 시작점 : 22.4V ,, 끝점 : 30V
3-
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1) 불 대수 공리
2) 불 대수 기본정리
3) 교환 정리
4) 결합 정리
5) 분배 정리
6) 부정 정리
Ⅱ. 논리게이트와 기본논리게이트
Ⅲ. 논리게이트와 다이오드논리게이트
Ⅳ. 논리게이트와 트랜지스터논리게이트
1. 부정회로(NOT)
2. NAND 회
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실험을 통하여 모듈의 명암 특성곡선과 최대전력점을 알아낸다.
2.시험결과
*태양전지 모듈의 Dark IV 특성 Curve 실험
Table1.
전압 (V)
전류 (mA)
0.33
0
0.5
0
1
0
1.5
0
1.7
10
1.9
30
2.1
90
2.3
300
2.47
650
Fig1. 전류-전압
*태양전지 모듈의 Light IV 특성 Curve 실험
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다이오드 특성을 파악하고 실용적으로 활용할 수 있는 방안을 모색해야 한다. 이러한 논의를 바탕으로 향후 전자회로의 발전에 기여할 수 있는 기초 자료가 될 것으로 기대한다. 1. 실험의 목표
2. 이론적 배경
3. 실험 데이터 분석
4. 결
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전압인 VR의 값을 측정해보고 고대역 필터는 인덕터, 저대역 필터는 캐패시터를 저항과 병렬로 연결했을 때의 VR값을 알아보면 되겠다.
실험 56. 대역통과 및 대역차단 필터
이번 실험은 대역통과, 차단 필터의 응답특성을 알아보는 실험이다.
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전압 : 3.48V
F : 1khz
R : 33
C : 0.01F
흰색 : 입력파형
빨강색 :출력파형
; 인가 주파수를 고정 F(1khz) 저항을 낮추고R(33) 캐패시터고정C( 0.01F) 했을때 역시 지너 다이오드가 작동하지 않았습니다.
출력 전압
600mv(인가전압10V)
7. 실험을 하면서 느낀 점
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실험적으로 회로의 주파수 응답 전압을 구하라. 이때 항상 실험이 진행되는 동안 함수 발생기의 기준 전압을 로 유지해야 한다.
③ [그림 1] 고역 통과 필터회로에 함수 발생기를 (0 dBm *에 해당)로 맞추고 차단 주파수 부근(700~900Hz)에서 좀더
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특성과 전기적 특성을 정량적으로 측정하고 분석한 결과는 반도체 분야의 실험적 접근 방식에 많은 기여를 할 것으로 기대된다. 1. 실험의 목표 설정
2. MOSFET의 기본 개념
2.1 MOSFET의 SPICE 모델 이해
2.2 MOSFET의 전기적 특성 분석
3. MOSFET 소
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전압원으로 사용할 수 있다.
3. 연습문제
3.1 그림 4-13의 회로에서 , , , PIV, , ％리플을 계산하여라.
3.2 그림 4-14의 회로에서 , , , PIV, , ％리플을 계산하여라.
4. 참고문헌
전자통신연구회 편, 『전자통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp169-173
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