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a-Si:H와 Poly-Si는 어떤 특정한 조건에 생성되었다 Ⅰ. 실험 목적
Ⅱ. 실험 재료 및 기구
Ⅲ. 실험방법
[1] Oxide와 Organic TFT Electrical 특성
[2] O2 Oxide와 불포함 O2 Oxide Optical 특성
Ⅵ. Reference
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소자의 전기적인 특성은 3단자에 인가되는 전압들과 3단자로 흘러 들어가는 전류들 간의 관계들로서 표현된다. BJT는 세 단자에 인가되는 전압에 따라 active mode, saturation mode, cutoff mode, reverse-active mode 등의 4가지 동작 모드를 나타난다. 이들에
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실험 결과 및 고찰···················37
5.1 Bias Aging에 따른 MIM 특성 분석··········37
5.2 Bias Aging에 따른 유기 박막 트랜지스터
소자 특성 분석···························38
제6장 결론············
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소자의 위치를 바꿔서 다시 실험해보아도 결과 값에 큰 변화가 없는 것을 확인하고 브레드보드의 문제도 아니라는 것을 확인하였습니다. 세 번째로는 소자가 잘못된 것은 아닐까 생각해 보았습니다. 그래서 다른 성공한 조의 소자를 이용하
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측정값
㉡ 저항 측정 그래프
㉢ 좌표도구를 사용하여 전압과 전류 값을 보여주고 저항 계산 과정을 쓰시오.
㉣ 기울기의 역수로 계산한 저항
(2) 다이오드 실험 결과
㉠ 다이오드 측정 그래프 첨부하고 분석 (1N4007 diode, LED)
㉡ 측정한 다
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