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실험노트
http://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%9D%B8%EB%93%90_%EC%A3%BC%EC%84%9D_%EC%82%B0%ED%99%94%EB%AC%BC(ITO)
http://cafe.naver.com/hynsr.cafe?iframe_url=/ArticleRead.nhn%3Farticleid=153(UV/Vis Spectrometer)
http://four-point-probes.com/index.html(4-Point Probe)
http://blog.daum.net/ds5weh/12375153
h
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특성들을 정확히 만족시키지는 못하겠지만 거의 비슷한 수준은 되므로, 이 특성들을 기반으로 하여 회로를 설계해도 별 무리가 없겠다.
3. 반전 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 -
시뮬레이션 결과 값:Run to Time :10ms 1. 실험 목적
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특성을 파악할 수 있었다.
6. 참고문헌
B.R. Munson, 유체역학, 청문각, 2007.
고한서 외 4명 공저, 최신 유체역학, 교학사, 2008. 1. 실험 목적
2. 실험 관련 이론
(1) 난류 속도 (난류 신호)
(2) 제트유동의 일반적 특성
(3) 열선유속계의 동
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실험이었다. 주파수에 따른 인덕터의 리액턴스값의 변화와 콘덴서의 직렬, 병별 회로 특성을 알아 보았다. 리액턴스는 교류일 경우에 나타나며 저항과 같이 전류의 흐름을 방해하는 역할을 한다는 사실을 알 수 있었고 실험으로 구한 전압과
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실험한다면 정확한 비례값의 데이터를 얻을 수 있을 것이다. 1. 자석
1-1/ 실험 1. 자석 주변의 자기장을 철가루를 이용해 관찰할 수 있다.
1) 실험목적
2) 이론
3) 실험방법
4) 데이터
5) 결과
6) 결론
1-2/ 실험 2. 자석 주위에 나침반을
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18640
9.01763
0.001560253
Total mobility average of the standard deviation :
Total concentration average of the standard deviation :
< N-Type Semiconductor Result. Ⅱ >
V. Discussion
반도체의 특성을 알아내는 수치를 구할 수 있는 Hall Effect에 대한 실험을 했다. 실험을 물질의 전
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18640
9.01763
0.001560253
Total mobility average of the standard deviation :
Total concentration average of the standard deviation :
< N-Type Semiconductor Result. Ⅱ >
V. Discussion
반도체의 특성을 알아내는 수치를 구할 수 있는 Hall Effect에 대한 실험을 했다. 실험을 물질의 전
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특성을 심도 있게 분석하고 이해하는 데 기여하였다. 이러한 실험적 접근은 전기학의 기본 원리를 효과적으로 학습할 수 있는 기회를 제공하였고, 앞으로의 전기적 현상 탐구에 대한 흥미와 호기심을 불러일으켰다. 1. 실험의 목표
2. 이
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전압에 직접 비례하게 되는 표면누설 전류 값이다.
-측정법은 베이스-콜렉터 사이를 역방향 bias후 측정가능하나 그 값이 매우 작아 측정이 힘들다.
6. 실험에 사용한 트랜지스터의 특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라
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특성이 뛰어나고 회로가 간단하다. 이 실험 또 한 비교 대상이 없기에 어떻다라고 결론 내릴 것이 없다. BJT 이미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스
1. 실험 결과 데이터
(1) ß의 결정
(2) 이미터 바이어스회로
(3) 콜렉터 궤환회로 (RE =
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