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및 CMOS로 이루어진 IC 중에 R-S, D, J-K 플립플롭이 있다. 이들이 어떠한 제품 이름을 갖는지 조사하라.
3.1.
☞
3.2.
3.3.
Qi
Ti
Qi+1
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
0
<====> Ti
Qi+1
0
Qi
1
3.4.
R-S : 74LS279
D : 74LS74
J-K : 74LS73, 74LS76, 74LS78, 74LS109, 74LS114 1. 실험목적
2.
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직렬 회로에서는 , , 의 식을 이용하여 피상전력과 유효전력을 구하여 역률을 구할 수 있었다.
병렬 회로에서는 , , 의 식을 이용하여 피상전력과
유효전력으로부터 역률을 구할 수 있었다.
고찰
이번실험은 R , L 및 C 로 구성된 교류 회로의 전
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Rc=.7972 Cjc=4.858p Mjc=.3333 Vjc=.75 Fc=.5
+ Cje=5p Mje=.3333 Vje=.75 Tr=10n Tf=314.3p Itf=13.01 Xtf=0
+ Vtf=10)
.end
1) RL = 100㏀ 일 때
가) 입출력 전압
나) 전압이득 및 주파수 특성 곡선
2) RL = 1㏀ 일 때
가) 입출력 전압
나) 전압이득 및 주파수 특성 곡선
3. 실험결과
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Rc=.7972 Cjc=4.858p Mjc=.3333 Vjc=.75 Fc=.5
+ Cje=5p Mje=.3333 Vje=.75 Tr=10n Tf=314.3p Itf=13.01 Xtf=0
+ Vtf=10)
.end
1) RL = 100㏀ 일 때
가) 입출력 전압
나) 전압이득 및 주파수 특성 곡선
2) RL = 1㏀ 일 때
가) 입출력 전압
나) 전압이득 및 주파수 특성 곡선
실험결과
가.
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커진 이유를 알 수 없었다. 더 늦게 충전된 것이 아니라 더 빠르게 충전되었기에 어떤 이유가 있는지 정확히 알 수 없었다. 1. 실험결과 및 분석
RC 직렬회로
1) 충전
2. 오차요인
1. 회로의 저항
2. 유효숫자
3. 토의 및 결론
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및 트랜지스터의 극성을 식별하는데 이용된다.)
따라서 다이알스위치를 저항 레인지에 놓은체로 멀티메타를 방치해두면 두 리이드선이 접촉되는 경우에 내장 전지가 쇼트(short)되고 전지 수명이 현격히 저하 될 것이다. 1. 실험 주제
2.
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특성이해, 1차 과도 응답 회로의 시정수의 개념 이해,
RL. RC의 회로로부터 미분회로, 적분회로의 구현과 원리 이해를 실험적으로 확인한다.
2. 관련이론
1. 캐패시터의 전류, 전압특성(전압 충전/방전)
1) 충전회로의 원리 : 캐패시터에 전압이
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.
3. 시정수를 계산하고 그래프에 표시한 후 측정값과 비교하시오.
4. 전압을 측정하기 위해 행한 일련의 실험과정을 기술하고 타당성을 설명하시오. 1.실험 목적
2.실험원리
a. 커패시터(capacitor)
b. RC회로의 특성
3.질문 및 토의
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고대역 필터와 큰 차이점은 소자의 변화 밖에 없다. 오른쪽 또한 인덕터를 이용한 저대역 필터회로인데 캐패시터를 이용한 저대역 필터회로와 차이점은 소자의 변화 밖에 없다. 1. 실험 목적
2. 기본 이론
3. 실험 결과 및 분석
4. 고 찰
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I=IRLC를 측정하여 기록한다.
임피던스 값을 구한다.
RLC 병렬회로
회로
소 자 값
공급전압
전체전류 IRC IRL IRLC
R
L
C
RC
RL
RLC
RLC 병렬회로
회로
소 자 값
임피던스 값
R
L
C
RC
RL
RLC 1.실험목적
2.실험관련이론
3.실험도구
4.실험방법
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