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브릿지들은 고장 원인이나 또는 미지의 저항을 측정할 수 있는 가장 유용한 회로라는 것을 간접적으로 나마 느끼고 알게 된 것 같아서 한편의 수확을 거둘 수 있었던 것 같다. 1. 목적
2. 이론 및 실험 방법
3. 결과
4. 고찰 및 검토
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실험장치 구성
3) 측정 프로그램 세팅
4) 계산
5. 실험결과 및 논의
- 그래프 1은 시간과 전압의 관계의 그래프로 -0.5~ 0.5V 사이의 범위에서 주기적으로 변화하는 파형을 보이고 있다.
- 그래프 2는 시간과 자속밀도 관계의 그래프로 일정한 주기
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실험을 통해 알아보고, 이론과 실제 실험을 통해 비교 확인해 보았다.
실험결과, CMOS 회로의 전기적 특성을 확인하는데 크게 어려움이 없었으나, 오실로스코프 및 파형발생기의 정확한 사용법을 익혀 실험 과정의 정확도를 높여야 할 것으로
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연결되 있을 경우 두 개의 저항값을 더한 만큼의 전체저항이 생겼다
그로인해 의 공식이 성립함을 알수있었다.
(3) 2개의 저항이 병렬로 연결되어 있을 경우 전체저항을 로 나타 낼 수 있었다 1 목적
2 결과
3 토의 및 고찰
4 결론
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실험
에서는 테브닌화 해서 실험들을 했고 이것들을 굳이 비교하는데서는 솔직히 어떻게 과정을 비교
해야 할지 모르겠다.
7. 보고 사항
휘스톤 브릿지는 미지 저항을 측정할수 있고, 또한 출력 전압이 0일 때 브릿지는 평형을 이룬고 평형 상
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값이 다른 인덕터가 몇 개 없어서 실험이 제대로 이루어지지 못했습니다. 하지만 실험이 제대로 되었다면 L=0.24[H], R=5.05[k] 값에서 3dB 주파수를 확인할 수 있었을 것입니다. 실험목적
실험 (짝수 번 실험 시뮬레이션)
비고 및 고찰
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실험할 때 일반적인 유의 사항 152
1 실험전의 준비사항 152
2 실험 회로를 브레드보드상에 구성할 때의 주의 사항 152
3 실험중의 주의 사항 153
4 실험 보고서(Report) 작성 요령 153
5 측정값의 통계적 처리 요령 154
6 전기
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실험을 하였을 때 원형 무늬 하나만 관측하게 된다면 이 무늬가 어느 면에 대응모르지만 원형무늬를 두개 이상 관측하게 된다면 대응되는 브랙면을 추정할 수 있어서 그 결정의 격자간격, 결정의 모양 등을 측정할 수 있게 된다.
전압을 달리
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관측하면서 전압조절단자를 90 위치로 설정한다.
직류전압계/전류계와 Power supply에서 MOSFET 벅/부스트-쵸퍼의 양쪽의 전압, 전류를 측정하고 기록한다.
dc = Vdc = Adc
dc = Vdc = mAdc
전류dc와dc의 극성에 따르는 전력의 방향을 설명한다.
본 실험에서
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전압
[V]
전류[mA]
전체저항[Ω]
I
I1
I2
I3
측정값
이론값
5V
48.89
33.43
10.68
5.09
101.4
102.1
==> I = I1 + I2 + I3
(5) 저항의 직렬 및 병렬연결인가전압
[V]
전류[mA]
전체저항[Ω]
I
I2
I3
측정값
이론값
8V
11.56
7.82
3.75
682.3
689.73
2. 고찰 및 토의
이번 실험은 옴
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