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측정했음을 확인했다.
4.토의
용량형 회로와 유도형 회로의 경우 회로의 저항이 0이라는 가정 하에 실험이 진행되지만 실제로 회로 구성에 사용되는 도선에 저항이 미세하지만 존재하기 때문에 (R=)도선의 저항으로 인해 최대 전류 값에서 이
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측정하여 사용한다.
⑩ 캐패시터를 0.22uF로 바꾸고 위의 실험과정을 반복한다. 다만 ⑤와⑥은 반복하지 않는다.
커패시터
Xc(계산)
Vr
Vc
I[mA]
Z(이론값)
Z(실험값)
Vs
0.47uF
0.22uF
RC 직렬회로의 특성
<그림 6.12>RC회로의 위상차의 측정
5. PSspice 시
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회로를 설계하는 과정을 다루었다. 실험에서는 n채널 MOSFET을 이용하여 기본적인 공통 소스 증폭 회로를 구성하였다. 증폭기로 사용되는 MOSFET의 게이트에 입력 신호를 가하고, 드레인에서 출력 신호를 측정하였다. 이 과정에서 MOSFET의 Vgs, Vds,
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회로를 결선하고, 단계 (2)에서 실험했던 4가지 amplitude의 입력 파형에 대해 출력 파형을 측정하고, 단계 (2)의 결과와 비교한다.
Vp=5V일 때
Vp=7V 일때
Vp=8V 일때
Vp=9V 일때
Vp=10V 일때
출력파형이 같음을 확인할 수 있었다. (음의 영역이 반전됨)
3.4 O
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실험에 대한 고찰 >
이번 실험은 오실로스코프를 사용하여 전압을 측정하는 능력을 향상시키고, 전류 감지 저항을 사용하여 회로 구성 요소의 임피던스의 측정 방법에 대해 실험을 통해서 알아보았다. 그리고 저항, 인덕터, 캐퍼시터의 실
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회로의 특성을 결정짓는지를 관찰하면서, 전기회로 설계의 복잡성과 다면성을 느낄 수 있었다. 실험 결과는 이론과의 일치를 보였지만, 항상 예측한 대로의 결과가 나타나는 것은 아니었고, 이로 인해 실험과 측정을 통해 도출한 데이터의 정
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임피던스 의 공식에 의해서 임피던스 이기 때문에 저항의 값에 따라 실험 결과값이 영향을 미침을 알 수 있었다.
의 실험값을 대입했을 때 결과값이 일치하는 것도 확인할 수 있었다.
⑥ 참 고 문 헌 :
□ 알기쉬운 회로이론 / 박송배 / 문운당
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측정하여야 하는데 그냥 눈으로 어림짐작해서 측정하는 실수를 범하여 결과값에 약간의 오차가 생긴 것 같다.
그리고 측정 장비들의 내부 임피던스로 인해 실효 전압값과 측정 전압값이 다르게 나온 것 같다.
또한 실험 후 알게 된 사실이지
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측정 하려다 보니, 오실로스코프 와 프로브의 성능이 안좋은지 노이즈가 매우 심했다. 따라서 임의로 전압과 저항의 크기를 크게 하였다. 이렇게 실험을 하였더니 값들이 제값과 유사한 크기를 가지게 되었다. 이 실험을 통해 ‘예비 레포트
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실험을 진행함에 있어 어려움이 있었다. 그래서 나는 조금 더 찾아보았다.
Probe 신호 배율 및 조정
오실로스코프 입력에서 프로브를 보면 입력의 배율을 조정하게 되어 있다. X1와 X10 이다. X10은 입력 임피던스를 10배 높임으로써, 회로에 영향
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