|
회로 공정과목에 대한 예행 실험으로 생각되어, 과목을 수강 시 많은 도움이 될 것 같다.
10. 참고문헌
가. 서적
반도체 공정기술, 황호정 저, 생능출판사
공정플라즈마 기초와 응용, Alfred Grill 저, 정진욱 역, 청문각
직접회로 제조를 위한 반
|
|
|
것이었다.
직접 브레드보드에 회로를 구성해 측정하는 것은 늘 오차가 발생하고 실험결과 값에 확신도 없었는데 max-plus2 는 회로 구성도 소자를 쉽게 개수대로 불러와서 쉽게 오차의 유무도 알려주고 결과도 잘 내주었다. 앞으로 예비 실험을
|
|
|
회로 >
< 출력 파형 >
[2]예비 실험 결과
계산값
측정값
오차
최대출력전압
3.561mV
3.441mV
0.12mV
최소출력전압
-3.561mV
-3.418mV
0.143mV
전압이득 Av
4.079
4.07
0.009
바이패스 커패시터가 없는 경우에는 의 값을 고려해야 한다.
ⅱ) 따라서 전체 저항
|
|
|
회로에서 캐패시터(0.1[㎌])와 저항(1.5[㎌])이 주어졌을 때 이로부터 1[㎑]일때의 리액턴스 Xc와 임피던스 Z의 값을 구하시오.
에서 =1.59,
이므로 에서 이 되어 Z= 1.5이다.
4. 4) 실험 B에서 측정된 값을 사용하여 임피던스 값을 수하시오(Z=V/IT)
Z=V/I.
|
|
|
크기로 슬라이스하게 된다(이것을 출력 포화되었다고 한다). 1. 목적
2. 이론
3. 예비레포트
- Op-Amp 란?
- 반전 증폭기 & 비반전 증폭기
- Function Generator의 기능 및 사용법
4. 결과레포트
- 실험 및 실험방법(직접실험사진첨부)
- 고찰
|
|
|
(부하각, 토크각)
(4) 동기발전기의 전력방정식
(5) 발전기부하 및 역토크
(6) 무부하 포화곡선
(7) 외부특성곡선
(8) 단락곡선
(9) 단락비
(10) 동기 임피던스 곡선
(11) 동기기 회로정수의 결정
4. 사용부품 및 장비
4. 실험
결론 및 고찰
|
|
|
나. 탐구 목적
2. 이론적 배경
가. RC회로
나. RL회로
다. RLC 회로
라. 공 진
3. 탐구내용 및 과정
가. 가설 설정
나. 실험 장치 및 준비물
다. 실험 방법
4. 탐구결과 및 분석
가. 환산 값 데이터 및 분석
5. 결론 및 고찰
6. 참고문헌
|
|
|
실험하더라도 Kirchhoff's law에 의하면 이론상으로는 아무런 문제가 없다. 하지만 우리는 Resistor에 걸리는 전압을 측정해야하므로 R을 (+)극의 맨 처음에 두고 L, C는 그 뒤에 전류가 통과하도록 장치하는 것이 옳다.
위상차를 구하는 실험에서는
|
|
|
예비보고서 1. RF의 기본적 이해
결과보고서 1. Microstrip 전송선 설계(HFSS사용)
예비보고서 2. Transition
결과보고서 2. Transition 설계(HFSS, ADS사용)
예비보고서 3. RF Resonator
결과보고서 3. RF Resonator 설계 (HFSS, ADS 사용)
예비보고서 4. Low Pass Filter
|
|
|
임피던스가 1MΩ//150pF정도 된다고 한다. 이것처럼 회로를 완성한 후에는 각각의 소자에 대한 저항이 포함되어 약간의 차이가 발생하는 것 같다.
e. 교류전압측정회로 실험 중 절차 6번에서 실험데이터 0.005㎌의 경우, 이론상의 전압 분배 법칙
|
|
메뉴펼치기
